在电子系统中，提高开关速度并降低EMI

在电子系统中，MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)作为一种常用的开关器件，其开关过程中的电磁干扰(EMI)问题备受关注。EMI不仅会影响电子设备的性能，

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利用电流基准开关稳压器设计来优化LDO裕量控制——第一部分：噪声源、影响及策略

摘要本文探讨了开关稳压器的各种噪声源及其对不同模拟信号链器件的影响。文章重点介绍了几种噪声抑制策略，包括使用低压差(LDO)稳压器作为有效的后置调节滤波器。文章

从“逐路测量”到“系统级观察”：多相电源中的三态PWM测试为何越来越重要

随着AI服务器、高性能计算以及数据中心电源需求持续增长，供电系统正面临更高电流、更快动态响应以及更复杂热管理的挑战。为了满足GPU、CPU等高算力芯片对低压大电

降压稳压器输出电压纹波测量中的高频噪声

摘要与低压差(LDO)稳压器相比，开关电源具有更高的效率和更强的功率处理能力。但与此同时，功率场效应晶体管(FET)的快速开关瞬态过程会产生向周围辐射的电磁噪声

内绝缘型TO247封装内置SiC SBD芯片的碳化硅MOSFET产品应用介绍

内绝缘”通常指封装内部实现了电气绝缘，常见的是“绝缘基板”型封装（如LFPAK、SOT-227、模块类）或“全塑封”封装，其散热面（金属基板或外壳）与内部电路（

如何利用无变压器的高压降压控制器实现电压转换

摘要在低电压情形中，通常使用无变压器的开关模式电源。但在某些应用中，也可改为使用高压降压控制器等新型器件。高压降压控制器能够实现简洁的设计，从而避免了使用变压器

多措并举保障绿色氢能高效稳定DC电流供应

绿色氢能作为零碳能源体系的核心载体，其生产核心依赖电解水技术，而电解槽的高效稳定运行，离不开高质量直流(DC)电流的持续供给。直流电流的效率、稳定性与纹波控制，

碳化硅赋能浪潮教程：SiC JFET驱动工业与服务器电源革新

摘要碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计

双向隔离型 AC-DC 矩阵变换器最小开关损耗控制方法

摘要：为了实现双向隔离型AC-DC矩阵变换器（BIMC）的高效运行，该文提出一种最小开关损耗控制方法。基于双线电压调制策略，建立电力电子器件损耗模型，引入基于序

IGBT元胞形状对其闩锁电流的影响

IGBT的元胞几何形状决定了其集电极-发射极电流ICE分成了两个部分：①从多晶硅栅下方的区域引入到Pwell区并引起寄生晶闸管的闩锁的空穴电流Ip；②直接穿过N

碳化硅功率器件封装关键技术综述及展望

摘要：碳化硅(siliconcarbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势