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TDFN8*8 系列碳化硅(SiC)MOSFET

1. 高开关速度,低开关损耗 ;
2. 高功率密度和紧凑设计;
3. 参数范围:
VDS:650V
ID:25A
RDS(on) :90mΩ

TDFN8*8 系列碳化硅(SiC)MOSFET


Product SKU VDS RDS(on) @25℃ ID VGS Status Data Sheet
ASR90N650MD88PB 650V 90mΩ 25A 12V Product PDF



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TDFN8*8 系列碳化硅(SiC)MOSFET
1. 高开关速度,低开关损耗 ;
2. 高功率密度和紧凑设计;
3. 参数范围:
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