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TO-247-4i 系列碳化硅(SiC)MOSFET

1. 高开关速度,低开关损耗;
2. 高抗干扰能力;
3. 参数范围:
VDS:1200V/1700V
ID:60~100A
RDS(on) :25~45mΩ


TO-247-4i 系列碳化硅(SiC)MOSFET

Product SKU VDS RDS(on) @25℃ ID VGS Status Data Sheet
ASC60N1200MT4i 1200V 45mΩ 60A 18V Product /
ASC100N1700MT4i 1700V 25mΩ 100A 18V Product /







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