摘 要：目前碳化硅（SiC）MOSFET大多沿用Si MOSFET 和IGBT的驱动设计方法。然而，由于SiC MOSFET相比Si器件具有更高的开关速度，因而栅极内阻、驱动回路电感和功率回路电感导致的栅源电压干扰情况也值得探索。该文分析栅源电压干扰产生的过程，进而归纳提炼出一种基于干扰动态响应机理的SiC MOSFET驱动参数标幺化设计方法。从开关结电容的等效电路出发，推导出功率回路和驱动回路的传递函数，基于驱动和功率双回路传递函数，研究揭示栅源电压的干扰动态响应机理。进而，引入标准化的参数表达形式，以标准量化驱动参数对于栅源电压干扰传导路径的影响，提出基于干扰动态响应机理的SiCMOSFET驱动设计原则。最后，搭建双脉冲实验平台，验证该驱动设计原则的合理性。
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