摘 要：得益于技术的进步，SiC MOSFET器件中的体二极管可靠性有极大的提升，并在部分领域和模块中取代了续流二极管。文章基于浪涌电流试验，对不同沟道状态下SiC MOSFET器件浪涌能力进行了深入研究。首先，搭建了浪涌电流试验平台，对CREE和Infineon两家公司的器件进行了浪涌电流试验；然后，测量和对比了试验前后器件的阈值电压、导通电阻、体二极管电压和漏极漏电流等特性的变化；最后，通过超声波扫描显微镜观察了器件失效前后内部结构的变化，并分析了器件的失效原因。试验结果表明，SiC MOSFET器件在浪涌电流冲击下，栅极可靠性和金属层可靠性共同决定了器件的可靠性：一方面，栅极可靠性高的器件，沟道导通有利于降低最高结温，提高浪涌电流下的可靠性；另一方面，栅极可靠性低的器件，沟道的关闭有利于保护栅极。
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