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碳化硅(SiC)功率模块,具有多种封装形式,有效助力系统实现更高效率、更紧凑的设计!
产品广泛应用于太阳能微逆变器、车载OBC、充电桩、UPS电源、服务器电源、工业电源、锂电池充电器、电力电源、消防电源、电机驱动等领域。
1. 最高工作结温175℃;
2. 高功率密度,低开关损耗;
3. 适用高温、高频应用;
4. 参数范围:
VDS:650~1700V
ID:100~400A
RDS(on) :2.5~25mΩ
如您对我们的产品感兴趣,欢迎联系咨询电话:135 1009 9916(微信同号)

| Product SKU | VDS | RDS(on) @25℃ | ID | Status | Data sheet |
| ASC400N1200MEK6B | 1200V | 4mΩ | 400A | Product | |
| ASC300N1200MEK6 | 1200V | 5.3mΩ | 300A | Product | / |
| ASC300N1200MEK6B | 1200V | 5.3mΩ | 300A | Product | |
| ASC200N1200MEK6 | 1200V | 8mΩ | 200A | Product | |
| ASC100N1200MEK6 | 1200V | 16mΩ | 100A | Product | / |
| ASC100N1200MEK6B | 1200V | 16mΩ | 100A | Product | |
| ASC200N1700MEK6 | 1700V | 13mΩ | 200A | Product |
相对于硅基器件,碳化硅(SiC)MOSFET具有更低的导通损耗
更快的开关速度和工作频率,适用于在更高效、更紧凑的应用场景
产品广泛应用于太阳能微逆变器、车载OBC、充电桩、UPS电源
服务器电源、工业电源、锂电池充电器、电力电源、消防电源、电机驱动等领域

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