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ME2 系列碳化硅(SiC)功率模块

碳化硅(SiC)功率模块,具有多种封装形式,有效助力系统实现更高效率、更紧凑的设计!
产品广泛应用于太阳能微逆变器、车载OBC、充电桩、UPS电源、服务器电源、工业电源、锂电池充电器、电力电源、消防电源、电机驱动等领域。
1. 采用全焊片工艺,Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷;

2. 高功率密度,低寄生电感,低开关损耗;

3. 适用高温、高频应用;

4. 参数范围:

VDS:650~1700V

ID:30~300A

RDS(on) :4~80mΩ

如您对我们的产品感兴趣,欢迎联系咨询电话:135 1009 9916(微信同号)



Product SKUVDSRDS(on) @25℃IDStatusData sheet
ASC300N1200ME21200V5.3mΩ300AProductPDF
ASC200N1200ME21200V8mΩ200AProductPDF
ASC200N1200ME2H1200V8mΩ200AProductPDF
ASR12N1200ME21200V11.2mΩ130AProductPDF
ASC300N1700ME21700V8.7mΩ300AProductPDF
ASC100N1700ME21700V25mΩ100AProduct/

相对于硅基器件,碳化硅(SiC)MOSFET具有更低的导通损耗

更快的开关速度和工作频率,适用于在更高效、更紧凑的应用场景
产品广泛应用于太阳能微逆变器、车载OBC、充电桩、UPS电源

服务器电源、工业电源、锂电池充电器、电力电源、消防电源、电机驱动等领域


ME2 系列碳化硅(SiC)功率模块
碳化硅(SiC)功率模块,具有多种封装形式,有效助力系统实现更高效率、更紧凑的设计!
产品广泛应用于太阳能微逆变器、车载OBC、充电桩、UPS电源、服务器电源、工业电源、锂电池充电器、电力电源、消防电源、电机驱动等领域。
1. 采用全焊片工艺,Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷;

2. 高功率密度,低寄生电感,低开关损耗;

3. 适用高温、高频应用;

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