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碳化硅(SiC)功率模块,具有多种封装形式,有效助力系统实现更高效率、更紧凑的设计!
产品广泛应用于太阳能微逆变器、车载OBC、充电桩、UPS电源、服务器电源、工业电源、锂电池充电器、电力电源、消防电源、电机驱动等领域。
1. 采用全焊片工艺,Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷;
2. 高功率密度,低寄生电感,低开关损耗;
3. 适用高温、高频应用;
4. 参数范围:
VDS:650~1700V
ID:30~300A
RDS(on) :4~80mΩ
如您对我们的产品感兴趣,欢迎联系咨询电话:135 1009 9916(微信同号)

| Product SKU | VDS | RDS(on) @25℃ | ID | Status | Data sheet |
| ASC300N1200ME2 | 1200V | 5.3mΩ | 300A | Product | |
| ASC200N1200ME2 | 1200V | 8mΩ | 200A | Product | |
| ASC200N1200ME2H | 1200V | 8mΩ | 200A | Product | |
| ASR12N1200ME2 | 1200V | 11.2mΩ | 130A | Product | |
| ASC300N1700ME2 | 1700V | 8.7mΩ | 300A | Product | |
| ASC100N1700ME2 | 1700V | 25mΩ | 100A | Product | / |
相对于硅基器件,碳化硅(SiC)MOSFET具有更低的导通损耗
更快的开关速度和工作频率,适用于在更高效、更紧凑的应用场景
产品广泛应用于太阳能微逆变器、车载OBC、充电桩、UPS电源
服务器电源、工业电源、锂电池充电器、电力电源、消防电源、电机驱动等领域

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