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碳化硅(SiC)功率模块,具有多种封装形式,有效助力系统实现更高效率、更紧凑的设计!
产品广泛应用于:太阳能微逆变器、车载OBC、充电桩、UPS电源、服务器电源、工业电源、锂电池充电器、电力电源、消防电源、电机驱动等领域。
1. 高功率密度,低寄生电感,低开关损耗;
2. 适用高温、高频应用;
3. 集成NTC温度传感器,易于系统集成;
4. . 参数范围:
VDS:650~1700V
ID:30~300A
RDS(on) :3.3~80mΩ

| Product SKU | VDS | RDS(on) @25℃ | ID | Status | Data sheet |
| ASC300N650MEP2B | 650V | 4mΩ | 300A | Product | / |
| ASC200N650MEP2B | 650V | 6mΩ | 200A | Product | |
| ASC300N1200MEP2B | 1200V | 5.3mΩ | 300A | Product | |
| ASC100N1200MEP4B | 1200V | 16mΩ | 100A | Product | |
| ASC100N1200MEP6B | 1200V | 16mΩ | 100A | Product | / |
相对于硅基器件,碳化硅(SiC)MOSFET具有更低的导通损耗
更快的开关速度和工作频率,适用于在更高效、更紧凑的应用场景
产品广泛应用于太阳能微逆变器、车载OBC、充电桩、UPS电源
服务器电源、工业电源、锂电池充电器、电力电源、消防电源、电机驱动等领域
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