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碳化硅(SiC)功率模块,具有多种封装形式,有效助力系统实现更高效率、更紧凑的设计!
产品广泛应用于太阳能微逆变器、车载OBC、充电桩、UPS电源、服务器电源、工业电源、锂电池充电器、电力电源、消防电源、电机驱动等领域。
1. 采用单面水冷+模封工艺,最高工作结温175℃;
2. 功率密度高,适用高温、高频应用,超低损耗;
3. 集成NTC温度传感器,易于系统集成;
4. 参数范围:
VDS:650~1700V
ID:400~1000A
RDS(on) :1.3~6.2mΩ

| Product SKU | VDS | RDS(on) @25℃ | ID | Status | Data sheet |
| ASC800N650DCS12 | 650V | 1.5mΩ | 800A | Product | |
| ASC400N650DCS12 | 650V | 3mΩ | 400A | Product | / |
| ASR1P5N1200DCS12-A | 1200V | 1.3mΩ | 980A | Product | |
| ASC800N1200DCS12 | 1200V | 2mΩ | 800A | Product | |
| ASC400N1200DCS12 | 1200V | 4mΩ | 400A | Product | / |
| ASC800N1700DCS12 | 1700V | 3.25mΩ | 800A | Product | |
| ASC600N1700DCS12 | 1700V | 4.3mΩ | 600A | Product |
相对于硅基器件,碳化硅(SiC)MOSFET具有更低的导通损耗
更快的开关速度和工作频率,适用于在更高效、更紧凑的应用场景
产品广泛应用于太阳能微逆变器、车载OBC、充电桩、UPS电源
服务器电源、工业电源、锂电池充电器、电力电源、消防电源、电机驱动等领域
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