摘要：碳化硅(silicon carbide，SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，MOSFET)与硅绝缘栅双极型晶体管相比，具有更低的开关损耗，更快的开关速度。但是，其高速开关过程对寄生参数非常敏感，容易激发高频振荡和过冲，给器件和电力电子装置的高效、安全运行带来不利影响。针对栅极驱动回路对器件开关行为的作用机理，基于电感钳位双脉冲测试电路，分析了SiC MOSFET 开关过程的电路模型，并利用其数学模型分析了SiC MOSFET开关行为的典型特征，分析了不同栅极电阻、栅源电容、栅极驱动电压对开关行为的调控规律。分析发现，这些调控方法在抑制振荡和过冲的同时，会降低器件的响应速度，增加开关损耗。实验结果验证了模型与分析的正确性和有效性，可为SiC MOSFET 的应用研究提供有益的支撑。
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