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基于导通电阻测量的SiC MOSFET结温在线监测方法

2026-09-16 15:00:24

摘  要 :结温是碳化硅功率器件(SiCMOSFET)健康状态的关键指标,结温在线监测是状态监测、健康管理和寿命预测的重要基础。基于中高压SiCMOSFET的静态热敏电参量——导通电阻,展开其结温在线监测的研究。首先,分析了导通电阻与结温的相关性;其次,对导通压降在线测量电路的工作原理和参数设计进行了理论分析、仿真与实验验证。最后,基于双脉冲实验,离线校准SiCMOSFET结温、导通电阻和负载电流的模型;搭建BUCK变换器平台,在两种不同的工况下,验证了所提结温在线测量方案的可行性与适用性。

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作者: 深圳市亿伟世科技有限公司
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基于导通电阻测量的SiC MOSFET结温在线监测方法
摘  要 :结温是碳化硅功率器件(SiCMOSFET)健康状态的关键指标,结温在线监测是状态监测、健康管理和寿命预测的重要基础。基于中高压SiCMOSFET的
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