摘 要：
在功率半导体器件中，金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）这两种器件成为当前应用的主流，自诞生以来，为提高性能，MOSFET出现了诸如横向导电、纵向导电、平面栅、沟槽栅以及超结结构等多种结构；而IGBT也历经穿通型、非穿通型和场截止型等结构。通过对这两种器件进行回顾，综述其出现的结构以及工作原理，并讨论了以碳化硅(SiC)材料为代表的第三代半导体材料在这两种器件上的应用。最后对MOSFET和IGBT的未来发展方向进行展望。
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