随着总统审查期结束，美国国际贸易委员会(US ITC)全体委员会于2026年5月7日作出的最终裁定获确认维持并正式生效。该裁定确认英诺赛科侵犯了英飞凌一项涉及氮化镓(GaN)的技术专利，因此对英诺赛科相关侵权产品实施进口及销售禁令。
英飞凌科技高级副总裁、氮化镓系统业务线负责人 Johannes Schoiswohl 表示：“此次裁决再次彰显了英飞凌在知识产权体系方面的坚实基础，也进一步体现了我们积极保护英飞凌专利组合、维护行业公平竞争环境的承诺。凭借业界领先的300毫米氮化镓制造能力，我们具备独特优势，能规模化推动创新，为客户提供加速低碳化与数字化转型所需的性能、质量及成本优势。”
此次美国国际贸易委员会的最终裁定，为英飞凌在氮化镓知识产权领域相关诉讼中的持续胜诉再添一笔。在德国同步进行的相关诉讼中，慕尼黑地方法院(Landgericht München I)已分别于2025年8月、2026年6月及2026年7月初裁定英诺赛科侵犯了英飞凌的三项专利及一项实用新型专利。德国法院的相关裁决禁止英诺赛科在德国境内进口、销售及推广相关侵权产品。此外，法院还裁定英诺赛科需向英飞凌支付损害赔偿。
英飞凌是氮化镓市场领先的垂直整合器件制造商(IDM)，拥有业界最广泛的知识产权组合，涵盖约450个氮化镓专利家族。氮化镓在实现高性能、高能效功率系统方面发挥着关键作用，广泛应用于可再生能源系统、数据中心、工业自动化以及电动汽车等多个领域。凭借更高的功率密度、更快的开关速度以及更低的功率损耗，氮化镓半导体可实现更紧凑的设计，有效降低能耗并减少热量产生。作为功率系统领域的半导体领导者，英飞凌同时掌握全部三种材料的相关技术：硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。
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