据业内消息人士近日透露，三星电子已悄然重启其碳化硅（SiC）半导体代工业务。此举旨在抢占备受关注的下一代功率半导体材料——SiC市场，巩固技术领先地位，同时提升现有8英寸代工生产线的利用率。行业普遍预测，三星将于2028年正式启动SiC的量产。
知情人士称，三星近期已恢复与合作伙伴关于建设SiC生产线的相关磋商。公司正与材料、零部件及设备（统称SoBuJang）领域的企业共同探讨技术引入与商业化落地方案。据悉，三星甚至已与部分合作伙伴就新增SiC生产设备的规模展开了具体讨论。一位业内人士表示：“此前一度暂停的SiC代工业务现已正式重启，我们正在将其打造为三星电子的全新增长引擎。”
碳化硅是由硅和碳组成的化合物，基于该材料的半导体相比传统硅基器件，能够承受更高的电压与温度。因此，SiC与氮化镓（GaN）一同被视为下一代功率半导体的两大核心方向。众多功率半导体厂商纷纷布局这两大领域，以开拓新兴市场。随着人工智能（AI）基础设施对电源效率优化需求的持续攀升，SiC与GaN的应用正从电动汽车、充电桩、太阳能等传统领域，加速扩展至数据中心市场。
事实上，三星电子在2023年正式宣布进军氮化镓业务的同时，便已着手为碳化硅业务做准备。当时，由于市场对8英寸硅晶圆代工产能的需求逐步走弱（该产线主要生产成熟工艺产品，盈利能力远不及12英寸产线），三星急于寻找新的增长点。而8英寸SiC恰恰是目前行业的最新技术标准，业界正从6英寸积极向8英寸迁移。对三星而言，引入SiC技术不仅能盘活利用率偏低的8英寸产线，还能利用现有设备提高投资效率。正是基于这一逻辑，三星在2023年便将SiC列为未来业务方向之一。
然而，受此后半导体市场整体低迷以及公司集中精力恢复存储芯片竞争力的影响，SiC业务的推进速度明显放缓。一位知情人士描述当时情形：“研发工作仍在继续，但商业化实际上已陷入停滞。”
因此，近期三星电子的动向被解读为全面重启SiC计划。公司意在为晶圆代工业务锁定下一代增长引擎，并与存储器业务的复苏形成协同效应。
根据当前讨论的进展，材料、零部件及设备行业预测，三星电子将于今年内启动供应链建设，明年建成用于原型生产的试验线，并于2028年进入全面量产阶段。据悉，三星正与合作伙伴就此路线图逐步达成共识。
随着三星正式进军SiC市场，预计将与现有厂商展开激烈竞争。全球龙头如安森美半导体、意法半导体、英飞凌，以及国内企业如东风高科、SK Key Foundry等，均在积极拓展碳化硅业务。
对于上述消息，三星电子一位官员以“目前尚未有任何确切消息”为由，拒绝发表评论。
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