硅的局部氧化（LocalOxidationofSilicon）技术目的是在衬底Si片上的特定区域上生长一层厚的SiO2，而在非此区域上阻止形成氧化层，形成隔离区域。
其主要作用是隔离相邻晶体管或有源区，降低结电容，同时改善闩锁效应。而且其作为场氧，其下表面反型阈值较高，不易形成寄生沟道。此外，像IGBT和SiC等高压器件的边缘终端区域，还可用于平坦化、绝缘、支撑场板结构等。
LOCOS工艺过程
1、生长前置氧化层（PadOxide），一般为15-30nm，此目的是为了缓冲Si3N4对衬底的应力；
2、生长Si3N4，一般通过LPCVD生长100-200nm，这是场氧化的阻挡层；
3、进行有源区（ActiveArea）光刻、刻蚀及离子注入等加工处理；
4、场区氧化，通过高温湿氧形成局部场氧化隔离；
5、湿法腐蚀，去除Si3N4；
LOCOS隔离技术中关键问题
鸟嘴效应（BirdBeak）和白带效应（KooiSi3N4）
1、场氧层下的横向氧化形成的鸟嘴效应（BirdBeak）
这是目前LOCOS技术最显著的缺点，因为在氧化过程中，氧气会从Si3N4边缘下方横向侵入，导致场氧区域有向非场氧区域内部延伸的趋势，从而形成了一个类似于鸟嘴形状的过渡区。
鸟嘴效应不但会与LOCOS场区氧化层的厚度呈正比，也与前置PadOxide的厚度呈正比，通常鸟嘴效应伸入Si3N4层下方的尺寸不小于前置氧化层的厚度，而且鸟嘴效应会随着LOCOS场氧层或前置氧化层的厚度而增大的愈发明显。
鸟嘴效应影响了有源区面积，使其偏离版图设计面积，而且其会影响离子注入精度，易产生非预期的杂质横向扩散，这是对器件致命的影响。
改善鸟嘴效应的措施：
其一是减小前置氧化层厚度，但是前置氧化层厚度的减小会带来Si3N4对衬底应力的恶化影响；
其二是降低LOCOS场氧厚度，但是降低场氧厚度会影响隔离效果。
实际工程是需要对上述两种尺寸综合折中设计考虑。
2、白带效应（KooiSi3N4效应）
LOCOS场氧是在高温高湿的环境下反应生长，而Si3N4本身也会在这个环境中生成NH3。NH3也会存在扩散到Si/SiO2界面，并在界面处与Si反应生成Si3N4的现象。这种情况下生成的Si3N4会在边缘形成一条白带，并影响后续生长的栅氧（GateOxide，GOX）质量，并且导致栅氧耐压降低。
为了改善这种现象，目前最常用的就是在生长GOX前先生长一层牺牲氧化层（SAC），通过SAC来将白带区域的Si3N4消耗掉，再利用湿法腐蚀去除SAC，这样可以非常有效的减轻白带效应。
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