摘 要 ：
SiCMOSFET功率模块能够帮助提高变换器高温、高功率密度运行的可行性。同时，对于高温下可靠运行的驱动电路的需求也随之增加。由于Si技术的驱动芯片和隔离芯片的耐温最大不超过125℃，本研究提出了一种使用脉冲变压材料的分立器件实现的隔离驱动电路，能够提供与商业化驱动电路同等的驱动电流，所提出的分立器件驱动电路经Saber仿真验证，并于SiC功率模块上进行双脉冲实验评估。仿真和实验结果证明了所提出的驱动结构对SiCMOSFET驱动的效果。
波形的影响从视觉上而言会越来越弱。
本研究初步设计了基于分立器件的SiC功率模块门极驱动电路，由分立器件实现的电路拓扑能够方便地应用于高温环境。本研究采用各类分立器件搭建了同时具备隔离能力和驱动能力的电路，之后通过仿真及电路调试证明了电路结构的合理性。并在500V/30A的电压电流等级下做双脉冲实验验证。从实验结果中可以发现该驱动电路在电流驱动能力与电压上升下降速度上与商业化驱动芯片相差无几。且相对于商业化驱动电路，本研究所提出的分立器件驱动电路具有更小的信号传递延时。该电路的隔离性能也通过验证，隔离前PWM信号仅在开关过程中存在轻微振荡，不会达到误触发的阀值。本设计能够满足1200V/300A电压电流等级的SiC功率模块的驱动需求。所选分立器件耐温均达150℃，能够方便地应用于高温环境中，突破商业化驱动电路85℃的限制。三极管作为本研究使用最多的分立器件类型，拥有大量可选的耐温达175℃甚至更高的单管封装，因此可进一步提高驱动电路在高温环境中的工作稳定性。
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