中国上海，2025年10月28日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，作为半导体行业引领创新的主要企业，发布基于下一代800 VDC架构的AI数据中心用的先进电源解决方案白皮书。
本白皮书作为2025年6月发布的“罗姆为英伟达800V HVDC架构提供高性能电源解决方案”合作新闻中的组成部分，详细阐述了罗姆为AI基础设施中的800 VDC供电系统提供强力支持的理想电源解决方案。
800 VDC架构是高效且可扩展性强的供电系统，因其可助力实现千兆瓦级AI工厂而有望为未来数据中心设计带来革命性转变。
罗姆不仅提供硅(Si)功率元器件，还提供包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等在内的丰富的功率元器件产品群，而且是世界上少数拥有模拟IC(控制IC和电源IC，可以更大程度地激发出这些功率元器件的性能)技术开发能力的企业之一。
本白皮书不仅介绍了罗姆引以为傲的丰富的功率元器件和模拟IC技术，还介绍了热设计等各种仿真、电路板设计以及实际应用案例等综合电源解决方案。
<本白皮书的要点>
・ 在AI数据中心，每个机架的功耗激增，导致以往48V/12V的直流供电方式已接近极限。
・ 向800 VDC架构转型，将会显著提升数据中心的效率、功率密度及可持续发展能力。
・ 在800 VDC架构下，以往在服务器机架内进行的从交流电向直流电的转换(PSU)，将改为在独立的电源机架内进行。
・ 对于800 VDC架构而言，SiC和GaN器件不可或缺。电源机架部分的AC/DC转换单元因移至IT机架外部，使得可实现更高效率的拓扑变得尤为重要。另一方面，IT机架部分的DC/DC转换单元，为提高其GPU集成度而采用可实现高功率密度的结构也非常重要。
・ 在各转换单元(如从交流电向800V直流电的转换，或IT机架部分从800V直流电的降压)中，可支持800 VDC架构的拓扑通过采用罗姆推荐的SiC和GaN器件，可实现更高效率、更低噪声及外围元器件小型化，进而使功率密度得以大幅提升。
・ 罗姆的EcoSiC™系列产品以业界超低导通电阻著称，其产品阵容中包括适用于AI服务器的顶部散热型模块等产品，非常有助于提升功率密度。另外，罗姆的EcoGaN™系列通过融合超高速脉冲控制技术'Nano Pulse Control™'、以及可更大程度地激发GaN性能的模拟IC技术，实现了稳定的高频控制和栅极驱动，并已在市场上获得高度好评。
向800V VDC架构的转型意义重大，需要全行业的协同合作。罗姆作为实现下一代AI工厂的重要合作伙伴，不仅持续与NVIDIA等业界领导者保持紧密协作，还将与数据中心运营商及电源制造商开展深度合作。例如，罗姆于2022年就已经与台达电子达成“电源系统用功率元器件战略合作伙伴关系”。罗姆将通过提供自身擅长的SiC和GaN等宽禁带半导体的先进技术，为构建可持续且高能效的数字化社会贡献力量。
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