IGBT器件的通态特性和阻断特性和工作温度由很大关系，不同结构的IGBT静态特性随温度的变化也不相同。
温度对IGBT通态特性的影响
IGBT的集电极电流分为两个部分：其一是电流是由P+集电区注入到n-漂移区并经Pwell流向发射极的空穴电流；其二是由n+发射区经沟道注入到n-漂移区的电子电流。
对于PT-IGBT而言，因为其集电极一侧的pnp晶体管的电流放大系数比较高，导致其空穴电流相对较大，所以PT-IGBT器件的饱和电压降具有负温度系数，即温度越高，饱和电压降越低。
因为PT-IGBT的P+集电区比较厚，导通时空穴注入的数目比较多，那么关断时需要抽取的空穴数目也会比较多，所以关断速度较慢。为了提高关断速度需要通过载流子寿命控制技术来降低少子寿命。但是又因为少子寿命随温度的升高而增大，电导调制效应持续时间长，使得器件饱和电压降减小，同时关断时间增加。
对于NPT-IGBT和FS-IGBT而言，因为背部集电极区域很薄，掺杂掺杂相对较低，属于透明集电极，集电极侧PNP晶体管的电流放大系数低，电子电流大于空穴电流，因此这二者的饱和电压降具有正温度系数。
采用透明集电极设计可以实现器件快速关断，不需要对器件进行载流子寿命控制，而且FS-IGBT的n-漂移区更薄，其饱和电压降更低。
温度对IGBT阻断特性的影响
IGBT的阻断电压和漏电流与温度密切相关：随着温度的升高，器件内部晶格振动加剧，载流子与晶格碰撞概率增大。所以如果具备足以击穿的碰撞电离条件的话，就必须需要更高的电场来使得载流子获得足够的能量。因此，随着温度的升高，PN结的雪崩击穿电压会有所增大。而且，因温度对pnp晶体管电流放大系数的影响，导致IGBT的阻断电压和漏电流随温度升高都会发生变化。
PN结的雪崩击穿电压与温度的关系如下：
IGBT的阻断电压除了与J2结的雪崩击穿电压有关外，还和PNP晶体管电流放大系数有关。
温度对IGBT阈值电压的影响
对于IGBT而言，随着温度的升高，器件的特性曲线会发生便宜。对于Si材料，禁带宽度Eg和载流子浓度ni与温度的关系可表示为：
IGBT的阈值电压的表达式在：进行介绍，Vth表达如下：
再将禁带宽度Eg和载流子浓度ni公式代入上式，并对温度求导：
从公式中我们可以知道，随温度升高，阈值电压降低，这主要是因为温度升高，禁带宽度变窄，沟道反型产生自由电子相对更简单。禁带宽度随温度升高变窄是因为，温度越高，晶格振动加剧，晶体原子间距增大，原子核对核外电子控制变弱，电子更易挣脱原子核的束缚而成为自由电子，反映在能带上就是价带顶的能量值升高，导带底的能量值降低，禁带宽度减小。
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