关于MOS结构中的电荷介绍可以移步到4H-SiCMOS的栅氧性能提升和影响MOS电容C-V特性的因素，这里面进行查阅，通过MOS结构的C-V特性曲线可以计算得到固定电荷、界面态密度以及可动离子的数量。
固定电荷的测量
固定电荷密度的测量是利用MOS结构的高频特性进行：
首先需要得到栅氧电容Cox、平带电压VFB、功函数差值ϕMS，随后可计算得到固定电荷密度Nf
栅氧电容Cox=Cmax/A，Cmax则是在高频CV测试中得到的最大电容值，A则是栅氧面积。
Cox=εrsε0/tox，tox为栅氧厚度可由椭偏仪得到，而εrs可由测出的折射率得到。
再由CV曲线中的平带电容CFB对应的电压值，可得到平带电压VFB，所以可以先得到CFB，再从CV曲线中对应得到VFB。CFB可由下式：
所以经过这样一来，就可以计算得到固定电荷密度。
界面态密度的测量
准静态CV测试和高频CV测试相结合可以得到界面态陷阱密度：
因为界面陷阱中的电荷数量和表面电势Vs或VGS相关，那么界面陷阱电容Cit(V)就与表面电势相关。界面陷阱电容是微分电容，它与表面空间电荷层电容相关联。因为它的充放电有一定的频率想要，所以在很高的频率下，界面陷阱上的电荷充放电跟不上信号的变化，则界面陷阱电容Cit=0.因此在高频CV特性上是不包括Cit的部分。
如果用Clf和Chf分别表示准静态CV测试的电容和高频CV测试的电容的话，那么：
所以，如果假设能量限定在积累和反型之间，那么：
相应的界面态密度Dit就是：
实际应用中，一般得到的是Clf和和VGS的关系，所以还需要得到VGS和Vs的关系来得到VGS对应的表面电势Vs。
因VGS=Vs+Vox，故：
而，
代入上式则：
所以从表面积累所对应的栅压VGS1到另一栅压VGS2积分，得到栅压为VGS2时的表面电势：
Δ为积分常数，因VGS=VFB时，Vs=0，即：
通常界面态分布用禁带中的能级位置Eit，因此将Vs转换成Eit：
所以，经过以上就可以得到界面陷阱能级在禁带中的位置，从而得到禁带中界面陷阱密度的分布。
可动离子的测量
SiO2层中会存在一定量的可动正离子，这些多半是流片或封装过程中引入的，这些正离子在外电场的作用下可产生漂移。例如，Na+离子初始多集中于SiO2与金属的界面处，在一定温度下，加上外电压可被激活，通过填隙的方式运动的Si/SiO2的界面处，这会引起器件参数的变化。
所以，在一定温度下，采用外加偏置电压的方式即可测量可动离子的面密度。
因为在实际的MOS结构中，栅氧中本身就存在一些固定正电荷以及一些靠近界面的可动电荷。因此要测量可动离子，就必须与固定电荷区分。区分的方法就是，利用正负偏压温度试验：
先施加负压，VGS<0，然后加热样品，因可动离子在较高温度下具有较大的迁移率，所以在高温负压下可动离子会向远离Si/SiO2界面的方向移动，在经过一点时间后可认为可动离子已经全部Si/SiO2界面。
保持偏压不变，把样品冷却至室温，然后去除偏压，随即进行高频CV特性。曲线所对应的平带电压VFB减小，CV特性曲线向右移动，即下图1→2。
随后改变偏压方向，施加正压VGS>0，加热时间和温度与负压时相同。正压作用后，可动正离子又会全部漂移到Si/SiO2界面附近，再测量高频CV特性，CV特性曲线就会向左侧移动，即下图2→3。
以此，通过正负偏压温度实验测量出平带电压的移动，于是就可得到可动正离子的面密度：
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