一、定义
功率MOSFET的体二极管导通时，在源极和漏极之间所加的正向电压，即为VSD。
二、测试方法
1、将栅极（G）与源极（S）短接，防止沟道开启；
2、在源极（S）与漏极（D）之间加电压VSD；
3、测试流过漏极（D）的电流ID，当ID=最高连续漏极电流时，此时源极和漏极之间所加的电压即为VSD。
三、影响因素
功率MOSFET结构中，P-体区与N-漂移区构成的PN结二极管（如下图）
二极管正向压降就是PN结导通时克服内建电场所需要的电压，其大小主要与PN结内建电场的电势差VD有关，VD表达式为：
K为玻尔兹曼常数，T为热力学温度，q为电子电荷量，NA为P区掺杂浓度，ND为N区掺杂浓度，ni为本征载流子浓度。
其中，本征载流子浓度ni表达式为:
Nc和Nv分别为导带和价带的有效状态密度；Eg为半导体的禁带宽度。
根据上述两个公式，功率MOSFET的正向压降VSD主要与P-体区、N-漂移区掺杂浓度、温度、材料属性（禁带宽度、有效质量）有关。随结两边掺杂浓度的升高而变大，随温度升高而降低，随材料禁带宽度变大而变大。
在功率MOSFET器件中，正/背面金属与半导体材料（Si）的接触及芯片面积同样会影响VSD的大小。
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