三星电子正加大对经验丰富的高带宽存储器（HBM）专家的招聘力度，力争重夺半导体行业的领导地位，押注其在疲软的第二季度后将出现反弹。
相比之下，三星正在缩减其表现不佳的晶圆代工部门的资深招聘规模，突显其专注于HBM领域，该领域目前落后于本土竞争对手SK海力士。
此次招聘的目标是招募精通下一代半导体和芯片封装技术的资深工程师，包括混合键合技术，该工艺被视为提升人工智能（AI）和其他计算应用性能的关键。
据三星电子称，负责公司半导体业务的设备解决方案（DS）部门计划在其九个主要业务部门中的六个部门招聘经验丰富的专业人员，分别是存储芯片业务、代工厂、半导体研究中心、全球制造和基础设施、测试和系统封装以及AI中心。
三星将于8月19日前开放下半年招聘申请。该公司拒绝透露目标员工人数。但行业观察人士预计招聘规模将大幅扩大，这表明存储芯片市场正在复苏。三星预计，在HBM产品的推动下，下半年盈利将出现反弹。
具体来说，三星正在寻找能够为先进HBM设计新架构的封装开发专家，而产品规划人员则负责与对定制HBM感兴趣的客户进行沟通。
定制HBM是指垂直堆叠DRAM产品的版本，其底层芯片配备了客户指定的功能。三星预计将最早于2026年将定制化HBM推向市场，以缩小与SK海力士的差距。
三星正在努力改进混合键合技术，该技术无需使用凸块（目前在HBM生产中用于堆叠DRAM芯片的微型连接器），而是将芯片直接连接在一起。该技术对于生产16层或更多DRAM层的产品至关重要，因为它可以减少HBM堆栈的厚度并降低发热量。
12层HBM3E是目前量产的最先进的AI内存芯片。SK海力士于2025年初成为全球首家展示16层HBM3E芯片的公司。
同时，三星将在2025年下半年停止系统LSI业务的资深招聘。该部门负责开发Exynos应用处理器和图像传感器等非存储芯片产品，该部门第二季度的亏损进一步扩大。
与晶圆代工部门一样，系统LSI部门也是拖累三星季度业绩的主要因素之一。
三星DS部门第二季度营业利润为4000亿韩元（2.88亿美元），创下自2023年第四季度2万亿韩元营业亏损以来的最低水平。
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