TO-252-3 系列碳化硅（SiC）MOSFET
1. 高开关速度，低开关损耗 ；
2. 高功率密度和紧凑设计；
3. 参数范围：
VDS：650V
ID：8~20A
RDS(on) ：180~380mΩ
1. 高开关速度，低开关损耗 ；
2. 高功率密度和紧凑设计；
3. 参数范围：
VDS：650V
ID：8~20A
RDS(on) ：180~380mΩ
| Product SKU | RDS(on) @25℃ | ID | VGS | Package | Status | Data Sheet |
| ASR260N650D52C | 260mΩ | 15A | 12V/15V/18V | TO-252-3 | Product | |
| ASR180N650D52C | 180mΩ | 20A | 12V/15V/18V | TO-252-3 | Product | |
| ASR380N650D52C | 380mΩ | 8A | 12V/15V/18V | TO-252-3 | Product |
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