DT3PAK 系列碳化硅（SiC）MOSFET
1. 高开关速度，低开关损耗 ；
2. 高功率密度和紧凑设计；
3. 参数范围：
VDS：650V
ID：36~60A
RDS(on) ：30~60mΩ
1. 高开关速度，低开关损耗 ；
2. 高功率密度和紧凑设计；
3. 参数范围：
VDS：650V
ID：36~60A
RDS(on) ：30~60mΩ
| Product SKU | RDS(on) @25℃ | ID | VGS | Package | Status | Data Sheet |
| ASC30N650MDT7 | 60mΩ | 36A | 18V | DT3PAK | Product | |
| ASC60N650MDT7 | 30mΩ | 60A | 18V | DT3PAK | Product |
如您对我们的产品感兴趣，欢迎联系
我们将为您提供高效、贴心的解决方案！
咨询电话：135 1009 9916（微信同号）
想深入了解碳化硅功率器件产品知识？点击→「碳化硅（SiC）课堂」获取详情！
复制产品链接
长按图片保存/分享
询盘
询盘
