HPD 碳化硅（SiC）功率模块
碳化硅（SiC）功率模块，具有多种封装形式，有效助力系统实现更高效率、更紧凑的设计！
产品广泛应用于太阳能微逆变器、车载OBC、充电桩、UPS电源、服务器电源、工业电源、锂电池充电器、电力电源、消防电源、电机驱动等领域。
HPD碳化硅模块特点
1、AlN+AlSiC散热，最高工作结温175℃；
2、第三代模块寄生电感低于10nH，比现有模块小50%以上，降低开关损耗；
3、参数表现：
- VDS：650~1700V
- ID：400~1000A
- RDS(on) ：1.3~6.5mΩ
| Product SKU | VDS | RDS(on) @25℃ | ID | Status | Data sheet |
| ASC800N650HPD | 650V | 1.5mΩ | 800A | Product | |
| ASC400N650HPD | 650V | 3mΩ | 400A | Product | / |
| ASR1P5N1200HPD | 1200V | 1.3mΩ | 1000A | Development | |
| ASC800N1200HPD | 1200V | 2mΩ | 800A | Product | |
| ASC800N1200HPDL | 1200V | 2mΩ | 800A | Product | |
| ASC600N1200HPD | 1200V | 2.7mΩ | 600A | Product | |
| ASC600N1200HPDL | 1200V | 2.7mΩ | 600A | Product | |
| ASC400N1200HPD | 1200V | 4mΩ | 400A | Product | |
| ASC800N1700HPD | 1700V | 3.25mΩ | 800A | Product | |
| ASC400N1700HPD | 1700V | 6.5mΩ | 400A | Product | |
| ASC400N1700HPDL | 1700V | 6.5mΩ | 400A | Product |
相对于硅基器件，碳化硅（SiC）MOSFET具有更低的导通损耗
更快的开关速度和工作频率，适用于在更高效、更紧凑的应用场景
产品广泛应用于太阳能微逆变器、车载OBC、充电桩、UPS电源
服务器电源、工业电源、锂电池充电器、电力电源、消防电源、电机驱动等领域
如您对我们的产品感兴趣，欢迎联系咨询电话：135 1009 9916（微信同号）
想了解更多关于碳化硅功率器件产品知识 请查看碳化硅课堂
复制产品链接
长按图片保存/分享
询盘
询盘
