摘 要：碳化硅(silicon carbide，SiC)金属-氧化物-半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor，MOSFET)性能优越、发展迅猛，在工业界获得广泛应用。其失效与结温息息相关，故SiC MOSFET结温监控技术至关重要，近年来成为研究热点。文中将该技术分为经典结温监测、考虑老化影响的结温监测、结温控制3部分。对于经典结温监测技术，重点介绍热模型法和热敏电参数法的原理、模型、发展历程、缺点及优势；对于考虑老化影响的结温监测技术，重点分析老化对结温监测的影响，论述老化补偿技术的必要性并指出现有方法的局限性；对于结温控制技术，分析其意义，重点介绍内部控制法和外部控制法的原理，比较各类方法的优劣。最后，综合以上分析，指出SiCMOSFET结温监控领域存在的关键问题和发展方向，旨在为相关研究人员提供参考。
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