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基于有源箱位技术的 SiC MOSFET 串联均压有源驱动电路研究

2026-10-10 16:54:03

摘  要 :功率器件串联技术是实现高压应用的有效途径之一,而串联应用的主要制约因素是串联器件之间的动态均压问题。该文针对不均压条件下串联器件的关断行为进行了理论分析,探究不均压的产生机理,提出一种基于有源籍位技术的碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管串联均压有源驱动,其利用有源籍位电路检测串联器件之间的电压不均衡,并箱位电压尖峰,通过反馈控制器件栅极电荷及开关瞬态行为实现均压。该方案不存在不均压的调节周期,即使在交变负载下依然能在每一个开关周期的关断时间内实现均压控制。此外,该文还详细介绍所提出方案的电路原理和参数设计过程,并通过试验验证该方案均压控制效果的有效性。结果表明,所提出方案具有有源籍位电路拓展性强的特点;是独立于原有栅极驱动电路的辅助电路,适用性强;且控制电路结构简单,无需可编程逻辑芯片和额外的信号隔离。

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作者: 深圳市亿伟世科技有限公司
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基于有源箱位技术的 SiC MOSFET 串联均压有源驱动电路研究
摘  要 :功率器件串联技术是实现高压应用的有效途径之一,而串联应用的主要制约因素是串联器件之间的动态均压问题。该文针对不均压条件下串联器件的关断行为进行了理
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