摘 要 ：由于开关速度非常快，多芯片并联碳化硅(siliconcarbide，SiC)功率模块的电压、电流振荡问题比硅(silicon，Si)器件更加突出，对寄生参数的要求也更高。然而，现有的商业化大功率SiC模块采用多芯片并联模式，大多沿用Si器件的封装技术，寄生参数不仅偏大，且存在明显的不对称性，不能充分发挥SiC器件的优越性能，亟需新的封装结构，以改善模块内的电热应力分布。首先，针对直接覆铜板(direct bonded copper，DBC)寄生电感的计算，提出两种简化计算方法，并将计算结果与有限元进行对比，基于这两种方法进行新型DBC布局的辅助设计，针对几种不同的三芯片并联功率模块，对比研究DBC布局对寄生参数分布、电流分布特性的影响，揭示寄生参数对多芯片并联模块电流分布的影响机理。最后，提出一种物理对称的新型功率模块封装结构，以实现各芯片间的电流均衡。对比分析表明，所提出的新型DBC布局能够显著减小回路之间的寄生参数差异，提升了SiC芯片间的电流分布一致性，有利于提升并联芯片额定电流的使用率，改善模块电-热应力的均衡性。
如您对我们的产品感兴趣，欢迎联系
我们将为您提供高效、贴心的解决方案！
咨询电话：135 1009 9916（微信同号）
↓ ↓ 点击图片免费领取产品规格书 ↓ ↓ 
想深入了解碳化硅功率器件产品知识？点击→「碳化硅（SiC）课堂」获取详情！
