摘要：通常限制碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)可靠性的根本因素是非平稳工况下的结温波动。文中提出的等效栅极电阻控制方法克服了在线连续修改驱动电阻的困难；在此基础上，提出一种主动热管理方法，通过改变开关损耗的方式来抑制结温波动，同时给出结温调节范围的推导过程；搭建逆变器实验平台，验证理论分析的正确性。实验结果表明，该方法可显著降低SiC MOSFET各功率波动阶段的温度波动，最大波动范围由18.83℃降至9.85℃，SiCMOSFET的寿命延长约2.18倍。此外，考虑系统的效率因素，提出温控操作区间和结温控制系数的概念；最后，通过实验验证所提出的方法的有效性。
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