摘 要：碳化硅(silicon carbide，SiC)器件作为一种宽禁带半导体器件，具有耐高压、高温，导通电阻低等优点。近20年来，SiC器件是国内外学术界和企业界的一大研究热点，该文对近些年来不同SiC器件的发展进行分类梳理，介绍二极管、结型场效应晶体管、金氧半场效晶体管、绝缘栅双极型晶体管及门极可断晶闸管器件，并对比分析器件结构及参数性能，针对关键问题展开论述。最后，对SiC器件近年的发展进行总结和展望。
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