为了克服壳温测量对热阻结果的影响和可重复，JESD51-14标准提出了新的测量方法，瞬态双界面法。此法不需要测量壳温，仅需要测量结温即可，具有精度高、分辨率高、可重复性强等优点，缺点在于操作复杂，需要两次测试。
此法的意义在于，克服了热电偶法壳温测量难度大、误差大的问题。
瞬态双界面法的具体步骤是：
1、获取小电流下饱和压降和结温的关系，即温度校准曲线，为后面结温测量做准备；
2、测量瞬态热阻抗曲线（不涂导热硅脂）：给待测器件通负载电流加热至稳态，记录此时饱和压降和负载电流，然后关断负载电流。等待延迟时间后，记录小电流下器件两端饱和压降，通过VCEsat法计算得到冷却阶段结温变化，并通过根号t反推得到稳态最大结温，采用公式：
从而计算得到该次测量瞬态热阻抗曲线。
3、测量瞬态热阻抗曲线（涂导热硅脂）：保持环境温度(冷却液温度)不变，操作同上；
4、提取结到壳热阻值Rth(j-c)：运用差值微分法确定分离点，分离点对应的热阻值即为结到壳的热阻值。
采用瞬态双界面法测量器件热阻需要注意负载电流、结温测量方法、延迟时间、散热条件等。
负载电流
JESD51-14标准中提到了负载电流应尽可能大以提高分辨率。如下图所示，负载电流越大，曲线越平滑，确定分离点的误差越小，结到壳的热阻值确定也会更加容易。
实际工作中，因采用直流加热模式，只有当温度达到稳态后才可以测量结温，如果使用较大的负载电流，有可能结温超过最大工作结温导致被测器件热损坏。
实际操作中需要先从小负载电流开始，逐步增加，不断尝试。
结温测量方法
JESD51-14标准规定小电流下的饱和压降法Vcesat来测量结温。
测量延迟时间和稳态最大结温反推
测量延迟时间根据实际确定，主要不同器件的延迟时间均不相同，受到负载电流、测量电流、结温、电压等级、器件类型等影响。JESD51-14标准还规定采用根号t法进行最大结温反推。
瞬态热阻抗公式
JESD51-14计算升温瞬态热阻抗的公式事实上是由IEC标准计算升温瞬态热阻抗公式演化而来，IEC标准中计算瞬态热阻抗公式如下：
从升温瞬态热阻抗曲线可以看出，测量结到壳结温热阻时，壳温不是定值，而是随结温动态变化。如果要测量结到环境(冷却液)瞬态热阻抗曲线时，可认为在整个测量过程中冷却液温度为一个定值，即Ta(t=0)=Ta(t)。因此JESD51-14计算升温结到环境瞬态热阻抗曲线，如下式
升温瞬态热阻抗曲线：
同时，从公式中可知，为了尽量减少测量误差，不仅需要通过合适的方法反推得到最大结温Tj(t=0)外，还需要尽量减少功率损耗误差，和热电偶法一致，尽量采用信号端子采集饱和压降。
散热条件
JESD51-14标准提到了进行两次瞬态热阻抗测量时，需要保持散热器水温相同。但是这个会带来一个问题，这会导致两次器件结温不一致，导致芯片的温度梯度有差异，最终得到的饱和压降也会有差异。所以可以调节水温保持两次测量瞬态热阻抗曲线时的结温一致。
总结
对于无底板模块以及分立器件等，适合采用瞬态双界面法确定结到壳热阻，因为无底板模块测量壳温易发生偏差，且挖孔会对温度场存在影响，测量结壳热阻难度大，对于小型分立器件，壳温测量误差会更大。
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