摘 要：
由于碳化硅MOSFET芯片生产制造工艺尚不够成熟，导致芯片参数分散性很大，使其在并联应用时的开关能量产生很大的差异。特别是在高频应用中，开关能量的不均衡将造成芯片发热分布不均衡，并严重影响碳化硅MOSFET 模块的可靠性。该文测试获得30个单芯片碳化硅MOSFET器件参数的分散性，建立单芯片碳化硅MOSFET器件并联动态特性测试实验平台和单芯片碳化硅MOSFET器件并联的等效电路计算模型。分别通过改变并联器件的转移特性曲线、导通电阻、栅极内阻和极间电容的差异数值，获取并联器件开关能量和开通瞬态峰值电流的不均衡度。在此基础上，提出基于开关能量均衡的并联碳化硅MOSFET芯片的筛选策略，并通过实验对计算模型芯片筛选策略进行验证。计算结果和实验结果均表明，以瞬态电流均衡为目标的并联碳化硅MOSFET芯片筛选策略，并不能够可靠地保证并联芯片开关能量的均衡，在该文所提筛选策略基础上，可以利用芯片参数对开关能量的补偿效应，实现并联碳化硅MOSFET芯片开关能量的均衡。
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