摘 要
SiC功率MOSFET是一种有前景的解决方案，适用于那些需要高功率密度和效率的电力电子应用。在需要大电流的应用中，通常会同时使用多个晶体管，而这些晶体管必须同步工作。然而，由于加工技术的不成熟，商用SiC功率MOSFET在电气性能和寿命方面存在显著的不一致性。基于一个针对1.2 kV SiC MOSFET校准的TCAD仿真模型，我们可以识别出关键的加工步骤。研究表明，控制外延掺杂浓度以及界面陷阱密度对于确保器件的可靠制造至关重要。
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