摘 要：围绕碳化硅(silicon carbide，SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)并联电流分配不均衡问题，系统地开展SiCMOSFET并联电流均衡方法研究。首先，对30个SiCMOSFET器件的静态参数进行统计分析；然后，建立不同电流等级下芯片栅源极电压与跨导的皮尔逊相关系数，并将两者的皮尔逊相关系数达到-0.7时的栅源极电压定义为均流电压，提出以均流电压作为芯片分选参数的确定原则；其次，提出不同布局下基于均流电压分选的SiC MOSFET并联电流均衡方法；最后，搭建多个分立器件并联和多芯片并联功率模块实验平台，验证所提方法的有效性。实验结果表明，所提芯片参数分选方法，不仅可以减小对称布局下并联芯片间的不均衡电流，且可利用芯片参数的差异定量补偿电路不对称时寄生参数差异导致的不均衡电流。
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