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北京理工大学团队在超宽带可逆调控红外等离激元研究方面取得重要进展

2026-08-31 09:00:12

近日,北京理工大学物理学院姚裕贵院士团队王冲副教授、李彩珍副教授与复旦大学晏湖根教授团队合作,在范德华金属红外等离激元动态调控方面取得重要进展。研究团队利用栅压驱动锂离子插层,实现了 NbSe2 薄膜中红外等离激元的连续、可逆和超宽带调控。研究发现,锂离子插层可协同调节自由载流子响应与高能带间跃迁屏蔽效应,使等离激元共振在单一材料中实现超过 5500 cm-1 的连续调谐,覆盖近红外通信、中红外大气窗口并延伸至热远红外区域。在此基础上,研究团队进一步实现了动态可调红外热发射及可逆热辐射图案。相关成果以“Ultrabroadband and Reversible Tuning of Infrared Plasmons in van der Waals Metal Films”为题发表在Nano Letters。

等离激元是自由载流子集体振荡与电磁场耦合形成的电磁激发,具有深亚波长光场束缚和强光—物质相互作用等特点,在红外探测、分子传感和热辐射调控等领域具有重要应用潜力。然而,传统贵金属载流子浓度高、动态调控困难,而石墨烯等可调材料又受到载流子调控范围和本征能带结构限制,难以在单一器件中兼顾宽光谱、连续性和可逆性。为突破这一瓶颈,研究团队引入锂离子插层这一调控手段,通过改变 NbSe2 的电子结构与介电屏蔽,实现对等离激元响应的大范围动态调节。

图1 锂离子插层过程中 NbSe2 薄膜的红外光学与电输运响应

在实验中,研究团队将 NbSe2 薄膜集成到离子栅器件中,并结合原位红外显微光谱与电输运测量研究插层过程。如图1所示,随着栅压升高,NbSe2 的低频 Drude 自由载流子响应逐渐减弱,光谱权重向高能带间跃迁转移,同时样品电阻显著增加。反向施加栅压使锂离子脱出后,红外光谱及电输运性质均能够恢复,表明锂离子插层可以实现对 NbSe2 电子与光学响应的可逆调控。

图2 锂离子插层调控 NbSe2 纳米条带等离激元共振

为在远场条件下激发等离激元,研究团队将 NbSe2 制备成周期性纳米条带阵列。如图2所示,锂离子逐渐插入后,等离激元共振峰持续向低频移动,并伴随共振强度和线宽的显著变化,退插层后,共振峰重新恢复至初始状态。循环实验进一步表明,等离激元峰位及消光强度能够实现稳定、可重复的周期性调控,展现出良好的可逆性与循环稳定性。

图3 锂离子插层驱动的等离激元色散演化及超宽带调控

为揭示巨大调谐范围的物理机制,研究团队制备了不同宽度的 NbSe2 纳米条带,并系统测量不同插层状态下的等离激元色散。如图3所示,随着插层进行,等离激元色散整体发生显著红移。理论分析表明,锂离子插层一方面降低自由载流子的 Drude 权重,另一方面增强高能带间跃迁产生的电子屏蔽,两种效应协同改变等离激元色散关系。基于这一机制,单个器件中的等离激元共振可从 6359 cm-1 连续调节至 800 cm-1,调谐范围超过 5500 cm-1,平均相对调谐深度接近 86%。

图4 可调 NbSe2 等离激元实现动态热辐射调控

基于超宽带等离激元调谐,研究团队进一步实现了红外热发射的动态控制。如图4所示,锂离子插层能够连续改变热发射峰的位置和强度,使器件的发射波长跨越近红外、中红外及热红外波段。研究团队进一步制备了由 NbSe2 微纳结构组成的“BIT”图案:初始状态下可在红外热像仪中观察到清晰热辐射图案;插层后,等离激元共振移出探测波段,图案随之消失;退插层后,热图案再次恢复,实现了热辐射信号的可逆调控。

综上所述,本工作利用锂离子插层实现了范德华金属 NbSe2 红外等离激元的连续、可逆和超宽带调控,并进一步将其应用于动态热发射和红外热显示,为可重构红外纳米光子学、智能热管理及红外信息显示提供了新的材料平台和调控途径。

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作者: 深圳市亿伟世科技有限公司
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