简报：SiC MOSFET具有开关速度快、导通损耗低、适用于高频高功率密度变换器等特点，已在新能源发电、电动汽车、储能变流器和工业驱动等领域得到应用。与此同时，器件结温波动、热应力累积和服役老化会影响其电气特性和可靠性，结温监测与结温控制因此成为SiC器件应用中的重要技术问题。
清华大学博士后张擎昊 围绕SiC MOSFET结温监控中的关键问题，建立考虑老化影响的SiC MOSFET特征参数温变模型，分析结温与退化状态之间的耦合关系；提出结温与老化程度的解耦评估方法，提高在线结温监测的准确性；进一步通过混合调制和导通延时调节等方法，实现多器件结温均衡和单器件结温波动抑制，降低结温控制对变换器正常运行的影响。此报告适合从事SiC功率器件、电力电子变换器、器件可靠性、结温监测与热管理控制等方向的科研人员和工程技术人员阅读，也可为新能源汽车电驱、光伏逆变、储能变流器等应用领域的技术研发提供参考。
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