摘 要:为了使SiCMOSFET工程运用时避免串联扰动的威胁,研究栅源回路参数对串联扰动的影响是很有必要的。研究通过对栅源回路参数的调控，将串联扰动现象分为正压尖峰与负压尖峰两部分进行分析，确定影响串扰电压尖峰的参数,为驱动回路参数设计提供方向性意见。首先建立拓扑简化模型,理论分析影响电压尖峰的栅源回路参数，随后搭建实验平台进行电压尖峰观测以及对理论分析进行实验验证，最后对实验波形进行分析。实验表明，当驱动电阻为0~20Ω、驱动杂散电感为0~300nH、栅极电容为0~10nF时，串联扰动随着桥臂自身驱动电阻、驱动杂散电感的增大而增大、随着栅极电容的增大而减小。此外，负载阻抗会影响负压尖峰，尖峰震荡同样会影响器件正常工作。
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