摘 要：近年来基于SiC 和 GaN的宽禁带半导体器件开始逐渐替代传统的Si IGBT器件，而面对高的开关速度所带来的问题，宽禁带半导体器件的开关特性分析以及驱动电路的设计在系统可靠运行方面显得尤为重要。以SiC MOSFET 模块 C2M0280120D为例设计了一款驱动电路，并在双脉冲测试平台对驱动电路进行了验证，同时分析了不同栅极驱动电阻对SiC MOSFET开关特性的影响。比较了传统Si器件和SiC 宽禁带半导体器件在静态特性和开关特性上的差异，以分析SiC MOSFET 驱动与传统 Si IGBT 驱动的区别。最后验证了所设计的驱动电路能保证驱动速度和栅极电压需求，并通过栅极电阻改变开关特性。
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