近日，瀚薪科技宣布在第三代半导体技术研发领域再获突破，成功取得两项国家专利授权，分别为“一种SiC半导体组件的制作方法”（专利号：ZL2021110482707.0）与“顶部散热封装结构”（专利号：ZL202530634689.2），进一步夯实公司在SiC功率器件领域的技术壁垒。
本次授权的两项专利均聚焦SiC半导体的关键制造与封装环节。其中，“SiC半导体组件的制作方法”涉及器件制备的核心工艺优化，有望提升产品良率与性能一致性；“顶部散热封装结构”则针对功率器件高散热需求，通过结构创新降低热阻，提升器件在高功率场景下的可靠性与使用寿命。
作为第三代半导体的核心材料，SiC凭借高耐压、低损耗、耐高温等特性，被广泛应用于新能源汽车、光伏储能、工业控制等领域，市场需求持续爆发。瀚薪科技此次专利突破，正是瞄准行业痛点，通过工艺与封装技术创新，提升产品竞争力。
瀚薪科技长期深耕SiC功率器件研发与制造，此前已在SiC MOSFET、模块封装等领域形成多项核心专利。此次新增专利将进一步完善公司的技术布局，为后续产品迭代与规模化量产提供支撑，助力公司在国内SiC功率器件赛道构建先发优势。
当前，国产第三代半导体正处于快速发展期，技术突破与专利积累成为企业竞争的关键。瀚薪科技持续加码核心技术研发，不仅强化了自身在SiC领域的技术实力，也为国内半导体产业链的自主可控注入了新动能。未来，公司将继续围绕SiC功率器件的工艺优化与性能提升开展研发，推动国产第三代半导体技术迈向更高水平。
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