全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)进一步扩展了其CoolGaN™ BDS 40 V G3双向开关(BDS)系列，推出了两款新产品：IGK048B041S和IGK120B041S。这两款新产品最多可将PCB占板面积缩减82%，并减少一半元器件数量。对于在现代智能手机、笔记本电脑和可穿戴设备等空间高度受限的应用中进行设计的工程师而言，这是一次显著且可量化的进步。新产品专为紧凑型消费类设备打造，为电源系统设计师提供了更大的灵活性，在不影响性能的前提下提高效率并简化设计。
英飞凌CoolGaN™ BDS 40 V G3产品系列
英飞凌科技氮化镓业务线负责人Johannes Schoiswohl表示：“如今消费类设备尺寸持续缩小，但对电力的需求却日益提高。这使得工程师面临着在更小空间内实现更强电力输出的巨大压力。英飞凌全新的CoolGaN™ BDS应运而生。它将两个背对背硅MOSFET的功能集成于单颗元件中，使元件使用数量减少了一半，从而大大简化了PCB布局。设计团队可直接沿用现有驱动方案，避免成本高昂的重新设计并加快产品面市速度，实现更加精简、更具成本效益的电源路径。”
双向开关(BDS)与其他氮化镓设备一样，兼容5 V栅极驱动。IGK048B041S和IGK120B041S分别采用2.1 x 2.1 mm²和1.7 x 1.2 mm² WLCSP的芯片级封装，专为智能手机、笔记本电脑和可穿戴设备等空间高度受限的应用而设计。尺寸较大的 IGK048B041S实现了4.2 mΩ 的导通电阻(RDS(on))，而尺寸较小的IGK120B041S导通电阻则为9 mΩ。CoolGaN™ BDS设备具有出色的开关性能和漏电性能。其栅极电荷比性能相当的其他产品低约40%，可实现更快的开关转换速度、更低的开关损耗，以及在快充应用中更高的系统效率。此外，其双漏极间关断漏电流比市面其他设备低85%以上，凸显GaN技术在漏电控制上的天然优势。上述特性综合作用，能有效降低系统升温，提升长期可靠性，并帮助制造商满足日益严苛的安全要求。
与依赖体二极管(可能导致意外电流流动)的硅MOSFET不同，CoolGaN™ BDS器件可实现双向电压和电流阻断。这种真正有效的双向阻断能力对于智能手机和便携式设备中的USB过压保护等应用至关重要，它们可以防止意外反向电流，保护敏感的下游组件。CoolGaN™ BDS器件同样非常适合用于多轨电源架构中的负载开关和电源多路复用功能，此类应用需要精确控制多条供电轨之间的电流方向。
随着IGK048B041S和IGK120B041S的发布，再加上此前发布的IGK080B041S，英飞凌CoolGaN™ BDS 40 V G3系列现包括三款器件，全面覆盖从紧凑型可穿戴设备到高性能笔记本电脑的完整移动电源开关需求谱系。
英飞凌拥有强大的产品组合，在过去一年中推出了40余款GaN新产品，是客户在选择高质量GaN解决方案时的优先合作伙伴。公司正稳步推进基于300毫米晶圆的可扩展GaN制造，首批样品已向客户交付。该工艺平台显著提升了生产产能并加快了高品质GaN产品的交付速度，进一步巩固了英飞凌在GaN市场的领导地位。
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