新型汽车级瞬态抑制二极管可降低BOM成本，同时保护BDU、HVAC和PTC系统中的GaN/SiC MOSFET和IGBT
美国 伊利诺伊州罗斯蒙特、中国 上海 — 2026年5月12日 — 为安全高效的电能传输提供先进解决方案的领导企业Littelfuse公司 (NASDAQ：LFUS)，今天宣布推出 TPSMC, TPSMD 及 TP5.0SMDJ 高压瞬态电压抑制(TVS)二极管系列，通过专为汽车高压电力电子应用设计的器件(包括电池断路装置(BDU)、高压HVAC系统和正温度系数(PTC)加热器)扩展了TP系列产品组合。(观看视频。)
随着电气化汽车架构向更高电压和宽带隙半导体迁移，GaN/SiC MOSFET 和 IGBT 等功率器件越来越多地受到负载突降、感应开关和其他高能事件造成的严重瞬态电压的影响。传统的中低压TVS解决方案通常需要将多个器件串联起来才能达到充分的保护，从而增加了PCB面积、复杂性和物料清单(BOM)成本。
新型TPSMC、TPSMD和TP5.0SMDJ高压瞬态抑制二极管通过在单个汽车级器件中提供更高的断态电压(高达400 V)和高峰值脉冲功率来应对这一挑战，使工程师能够简化保护方案，同时提高系统效率和耐用性。
主要功能与特色
· 高断态电压(≥400 V)可为高压汽车电路提供单设备保护
· 峰值浪涌电流高达 300 A，峰值脉冲功率高达 5 kW，可支持恶劣的瞬态条件
· 快速响应时间(通常<1 ps)可实现有效的瞬态箝位
· 符合AEC-Q101标准，符合PPAP标准，可满足汽车可靠性要求
· DO-214AB(SMC)表面贴装封装可最大程度减小 PCB 尺寸并简化布局
· 符合IEC-61000-4-2 ESD标准(最高30 kV)，提供强大的系统级保护
· 与多设备保护方法相比，降低了BOM成本并减少了组件数量
专为高压汽车电源系统而设计
TPSMC、TPSMD和TP5.0SMDJ系列是首款专为新兴高压汽车子系统打造的瞬态抑制二极管，使设计人员能够：
· 减少串联所需的TVS器件数量
· 优化低额定值GaN/SiC MOSFET或IGBT的选择，以减少传导损耗
· 在降低成本的同时提高整体系统效率
“这些高压瞬态抑制二极管专为下一代汽车电源架构而开发，”Littelfuse产品营销总监Charlie Cai表示。“通过在BDU、HVAC和PTC应用中启用单器件瞬态保护，我们的客户可以简化设计、降低BOM成本，甚至选择额定值较低的功率半导体来提高效率和系统性能。”
TPSMC、TPSMD和TP5.0SMDJ系列概述
所有系列均提供单向和双向配置。
市场与应用
· 汽车电子产品
· 电池断路装置(BDU)
· 高压HVAC压缩机
· PTC座舱和电池加热器
· 高压直流配电
TPSMC, TPSMD, TP5.0SMDJ 系列TVS二极管
常见问答 - 高压TPSMC、TPSMD和TP5.0SMDJ瞬态抑制二极管
1. 为什么选择高压瞬态抑制二极管而不是传统的瞬态抑制解决方案?
高压瞬态抑制二极管可在单个器件中提供足够的断态电压，无需串联多个低压器件。这可减少PCB面积、成本和设计复杂性。
2. 这些瞬态抑制二极管旨在保护哪些功率半导体?
这些产品专为保护高压汽车电力电子产品中使用的GaN/SiC MOSFET和IGBT而优化。
3. 这些器件符合哪些汽车标准?
TPSMC、TPSMD和TP5.0SMDJ系列符合AEC-Q101标准，符合PPAP标准，并符合IEC-61000-4-2 ESD要求。
4. TPSMC、TPSMD和TP5.0SMDJ系列有哪些区别?
TPSMC 支持 1500 W，TPSMD 支持 3000 W，而 TP5.0SMDJ 支持 5000 W 峰值脉冲功率。
5. 这些瞬态抑制二极管是否与Littelfuse现有的设计兼容?
是的。其旨在与现有的Littelfuse瞬态抑制二极管和电路保护产品组合无缝集成。
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