中北高新区企业天成半导体近日宣布，继 2025 年实现 12 英寸高纯半绝缘与 N 型碳化硅单晶 “双突破” 后，依托完全自主研发的长晶设备，成功研制出14 英寸（350mm）碳化硅单晶材料，有效厚度达30 毫米，晶体零微管缺陷、位错密度达到国际先进水平。此次突破是公司在大尺寸 SiC 技术路线上的又一次跨越式升级，标志着我国在第三代半导体核心材料领域，从 12 英寸量产能力向 14 英寸前沿技术的关键跨越。
该 14 英寸碳化硅单晶主要面向半导体制造设备核心部件应用，可广泛用于等离子体刻蚀、外延生长、快速热处理、薄膜沉积、离子注入等高温、强腐蚀工艺环节。碳化硅部件凭借高导热、耐高温、耐腐蚀、高机械强度等特性，是先进晶圆制造装备的 “刚需耗材”，此前该领域长期被海外厂商垄断。大尺寸单晶可显著提升部件加工利用率、降低边缘损耗，规模化后将有效降低国产半导体装备的核心耗材成本，加速装备自主可控进程。
作为中北高新区培育的 “专精特新” 企业，天成半导体已构建从设备研发、粉料制备、晶体生长到材料加工的全流程自主知识产权体系。此次 14 英寸突破不仅刷新国内纪录，更跻身全球 SiC 大尺寸技术第一梯队。业内预计，该成果将推动国产碳化硅在半导体装备、新能源汽车、光伏储能等领域的加速渗透，为第三代半导体产业降本增效与国产替代注入强劲动力。
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