闩锁发生时，IGBT与连续电流传导状态相关。故施加的栅压对输出集电极电流没有影响。不同栅压下，IGBT的输出集电极电流特性曲线变成了一条与栅压无关的曲线，这会观察到IGBT的正向电压下降。因此可定义为IGBT的高电流状态。只有通过将集电极电压的极性反转或关断该电压才能使得闩锁停止。
目前已经明确了IGBT的两种闩锁模式，即动态和静态。
静态闩锁是当IGBT处于正向导通状态时，当电流密度超过极限临界值时会发生这种情况，此时集电极电压很低但集电极电流很大，此时的闩锁过程并不近局限于IGBT部分区域，而是扩散到大部分有源区内。
动态闩锁则是在开关过程中，其闩锁发生时所需的电流密度低于静态闩锁。在IGBT关断期间，快速消失的IGBT的电流会在Pwell电阻RB反方向上产生大量的空穴电流，从而形成了电压降，当超过PN结开启电压时，会从N+发射区向Pwell区注入大量电子。因此在动态闩锁模式中，因存在过流空穴电流，闩锁发生在集电极电流值较低时。
静态闩锁
静态闩锁情况下，IGBT中顶部的NPN晶体管不再处于有源状态。横向流入Pwell的空穴电流Ip穿过N+发射区下方区域，并被N+发射区/Pwell短路处的发射极金属收集。这个横向流动的空穴电流在X点使得N+发射区/Pwell区结正向偏置。
虽然空穴的收集是沿着Pwell的整个长度发生的，但是为了方便计算，可以有以下计算：
空穴电流Ip又与流经沟道的电子电流In有关，则：
αpnp为PNP晶体管的电流增益，此外发射极电流IE由下式确定：
故而，综合得到：
当组成晶体管的电流增益综合αnpn+αpnp等于1时，发生闩锁，即：
为了增加NPN型晶体管的电流增益，使其达到这个条件的有效值，N+P结上的正向偏置必须等于这个结的内建电势VBi=0.7V，因此稳态闩锁电流表示为：
又因：
其中ρsp为Pwell的方块电阻，因此：
综上，IGBT稳态闩锁的必要条件就是αnpn+αpnp≥1。
根据以上可以知道提高闩锁电流：
a.降低PNP型晶体管的电流增益αpnp；
b.降低Pwell的方块电阻；
c.使用更短的发射极长度LE；
动态闩锁
下图是电感负载的关断电路及相关波形。
在t=t1时刻，集电极-发射极电压急剧上升到电源电压Vs，略微超过该电压。因此关断之后，PNP型晶体管的电流增益增加到对应于电压V1=Vs，从而，
D表示动态，I表示电感负载，
这是使用电感负载进行动态关断的未耗尽Pwell区宽度。此时，当满足αnpn,DI+αpnp,DI≥1，或αnpn,DI=1-αpnp,DI
这是因为αpnp,DI>αnpn,SS，发生闩锁时空穴电流Ih非常明显，所以关断前的稳态集电极电流ICE小于静态闩锁时的集电极电流，这就是动态闩锁发生在较低的集电极-发射极电流的原因。假设αpnp,DI和Ih线性相关，那么电感负载下的动态和静态闩锁电流比则是：
d为N-漂移区厚度，La为双极型扩散长度。
电感负载时，载流子寿命降低之后动态闩锁的可能性变小，这是因为闩锁电流比对包含寿命的参数La的依赖性变弱。但是寿命降低会降低空穴电流Ih与集电极-发射极电流ICE之比，从而增加了静态闩锁电流和动态闩锁电流的绝对值。
在动态闩锁电流的分析中，其实忽略了集电极-发射极电压对Pwell电阻的影响。实际耗尽层也扩展到Pwell，尽管距离较短，这也提高了Pwell的方块电阻及RB。在较高的集电极-发射极电压下，这个现象会变得更严重。因此动态闩锁可能会比上述分析中更小的电流发生。
沟槽栅IGBT的闩锁电流密度
沟槽栅极的IGBT结构在闩锁电流上比平面栅有着显著改善。这是因为二者空穴电流流动路径的差异。
在平面栅结构中，空穴电流主要发生在N+发射区下方水平流动，从而导致了大的电压降，这就导致了在较低的集电极-发射极电流下发生闩锁。
在沟槽栅结构中，空穴电流垂直流动，空穴电流的电阻取决于N+发射区的深度。通过使用浅P+区域，可以明显降低这个电阻，从而使得IGBT更具有抗闩锁性。这个P+区域与通常用于防止闩锁的深P+结构具有相同的作用，它降低了空穴电流的电阻。
沟槽栅IGBT的闩锁电流密度和平面栅IGBT的闩锁电流密度的分析一致，导致N+发射区/Pwell结正向偏置的空穴电流分量Ip由N+发射区的结深度xN+和P+层的电阻率ρp+控制。分流电阻Rs可表达为：
Wt为相邻沟槽之间的距离。
因为空穴电流的垂直流动，此处不使用P+层的方块电阻率。则闩锁的条件是：
其中空穴电流Ip表示为：
闩锁电流密度JCEL,Trench为：
其中，Wm为沟槽宽度，Wt为Pwell宽度
所以，沟槽栅IGBT除了降低了空穴电流电阻外，其较小的元胞尺寸也导致了其闩锁电流密度也高于平面栅IGBT。
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