下面来介绍几种产品设计中常用的MOS做电源开关的电路。
【低侧驱动，最简单最实用，但不一定适用所有的电路，会对部分电路的工作有影响】
下图为使用NMOS，最简单的开关电路。（低侧驱动）
CONTROL电平为高时，Vgs>NMOS的Vgs导通阀值，MOS导通，负载工作。
1.1.1、泄放电阻 R1
1.1.2、Vgs电压范围 对导通速度、导通内阻的影响
因Vgs的驱动电压越高，MOS的导通电阻就越小，导通速度也越快，所以像电机控制一般多使用12V作为驱动电压。（见下图手册，Vgs=4.5V 和 10V 时，MOS导通内阻的对比）
切莫使Vgs超出手册规定的范围，会使MOS损坏。
1.1.3、寄生结电容 | 驱动电流 | 栅极驱动器
MOS的GS极间的寄生结电容大小，影响了开断速度。越小开断越快，响应越迅速。选型时，应尽量选择小的，可以有更快的开断速度，以降低开关损耗。
MOS的GS极内阻非常大，对外主要体现为容性，低频时对电流的需求不明显，而随着频率升高，电容充放电频率的加快，电容的容抗与频率成反比，容抗变小。
这种情况，常见于电机控制或者电源转换。控制信号通常为几十KHz~几M的PWM波形。需要使用专用的MOS栅极驱动IC。NMOS的低侧驱动IC很简单，内部大多为一个半桥。市面上使用更多的驱动IC为高侧+低侧栅极驱动IC，即为NMOS半桥栅极驱动，而单单低侧的栅极驱动由于较为简单，搞个NP对管就能实现相近的效果，即使芯片有很多选择，也并不常用。
【也叫高端驱动、高边驱动，因高端中文容易混淆，所以一般书面形式叫高边、高侧的会多一些】
一般的电路这样用可能没什么问题，但有的则不行，例如需要低侧电流采样的电机驱动电路，可能导致工作异常。或者有电源完全断开的需求，NMOS低侧开关显然不适合。
1、集成电荷泵的NMOS高侧驱动：一种是内部集成电荷泵的。可允许高侧NMOS的持续开通，即允许100%占空比输入。性能稳定，但栅极驱动器芯片的成本略高。
电容浮栅自举电路原理
下面简述下电容自举电路的原理，其是如何实现高压隔离和 电容自举充放电的。个人理解可能有偏颇，还望指正。这里以 IR2101 的手册为例。
0、图1右侧的TO与LOAD是直接连接的，且 HIN、LIN 的信号近似为差分（一般会额外插入些死区），所以右侧半桥输出的电平，可以近似的看为 0 ~ 600V 的数字信号，输出不是600V就是0V。这是大前提，这里先不考虑外部负载对上升、下降沿过程的影响，近似看做纯数字电路来方便理解。
2、当输入信号 HIN 为1时，图2右上角的 高侧MOS导通，低侧MOS关断。自举电容通过 Vb -> HO 路径向 外部的高侧NMOS放电，于是外部的高侧NMOS导通，自举电容逐渐放电电压缓慢变低。因MOS的GS极间内阻非常大，外部的高侧NMOS可以保持导通很长时间。【这步相当于将冲好电的自举电容，突然架空GND，再瞬间转移到到 Vs 和 HO 上，使外部NMOS的GS间电位与自举电容保持一致。整个过程与电荷泵倍压的原理几乎是一样的，只不过这里的充放电频率与HIN、LIN的频率保持一致，而电荷泵倍压一般使用内置震荡源】
NMOS电荷泵高侧驱动IC的一些型号
TI的 高侧开关产品列表，其MOS都是内部集成的，不能外接NMOS。好不容易能在 电子保险丝和热插拔控制器 中找到个 LM5060。单纯的NMOS高侧驱动型号很少，大多都是集成电流保护的 热插拔控制器。
随着电机控制对FOC需求的激增，同时也促使了MOS栅极驱动器的集成度提高，诸如DRV8301、DRV8305 这些集成了三相半桥栅极驱动、DCDC降压、高侧电荷泵涓流充电、多路增益可编程的差分放大器、可调死区控制器 的驱动器，被越来越多的应用到产品设计 上。
NMOS做高侧开关的性能比较好，但因为要增加额外的栅极驱动IC，会使电路变得复杂，成本也会随之提升。除开电机控制和电源转换的场合，一般对开通速度、导通内阻、过电流能力 无细致需求的话，PMOS无疑是做开关的较好选择。
下图是PMOS做高侧开关的电路，CONTROL为控制信号，电平范围为0~VCC。
CONTROL为VCC时，Vgs>导通阀值，PMOS关断，负载停机。
但MCU或其他控制器的电平一般为固定的3.3V / 5V，而电路的VCC却要在一个很大的范围内变动。这就导致如果使用I/O口直接驱动的话，PMOS不能关断，并且当VCC较大时，还会损坏MCU的I/O口。
如下图，NMOS - Q3负责做电平转换，来驱动Q2 - PMOS的开关。
当CONTROL 为1，Q3开通，Q2的G极电平被拉低为0，Q2 Vgs<导通阀值，PMOS开通，负载工作。
随之而来新的问题：如果VCC电压很高，在PMOS开通时，导致Vgs超出了手册中的Vgs允许范围，也会造成PMOS的损坏。
特别注意：VCC电压较高时，需要重新计算各电阻的热功耗，来确定合适的封装，或者更改阻值。
PMOS做低侧开关的实例实在是少之又少，并且PMOS做低侧开关确实没什么好处，电路复杂且参数较差，不如直接用NMOS，在此不做介绍。
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