今天这部分的主题是SiC MOSFET的导通特性。
先说SiC MOSFET的栅极驱动
前已论述，相比Si MOSFET，SiC MOSFET的外延层可以采用更小厚度、更高浓度，实现相同耐压，
因此，后者的漂移区电阻更低。
但，以现有工艺水平，后者的沟道迁移率远低于理论值，使得沟道电阻高于Si MOSFET，
由此推出，栅极驱动电压VGS越高，SiC MOSFET的导通电阻越低（20 V以上逐渐饱和）。
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这张图，非常清晰，
在Si IGBT和Si MOSFET通常使用的驱动条件VGS=10~15V条件下，SiC MOSFET的电阻尚有较大下降空间，
因此各家SiC MOSFET产品，推荐驱动电压一般是18V，这一条件下，电流接近饱和，足以充分发挥SiC MOSFET的低导通电阻优势。
另外，VGS＜13V时，随着温度升高，导通电阻甚至可能减小，
此时如果并联使用器件，可能导致电流集中流过某一器件，造成热失控。
这里提个问题，SiC MOSFET中，器件导通电阻的温度系数，在不同结构设计、不同工作条件下，到底如何变化？
有两个变量，结构设计or工作条件，
前者，决定沟道电阻和漂移区电阻的占比，
这两部分电阻是SiC MOSFET导通电阻的主要成分，且二者的温度系数有明显区别。
漂移区电阻，由体迁移率决定，呈现正温度系数，
沟道电阻，由表面迁移率决定，但由于SiC/SiO2界面的复杂性，其温度系数较复杂，在不同温度范围内，变化规律不同。
不细究机理，只需要知道，目前关心的应用范围内，沟道电阻呈负温度系数，就足矣。
器件整体电阻的温度系数，由二者占比多少决定。
比如，相比平面MOSFET，沟槽MOSFET的沟道电阻更低，占比更小，因此器件的正温度系数，一般会大些。
再比如，超结结构，大幅降低漂移区电阻，使得器件的正温度系数显著降低。
就像之前这篇，36μm的外延层，因为采用超结结构，温度系数只有2.6，
另一影响因素，是工作条件，
观察各家的产品规格书，会发现，VGS明显低于推荐电压18V时（比如10V左右），器件电阻呈现负温度系数，
换言之，在这时，随着温度的提升，器件电阻降低。
从沟道电阻和漂移区电阻的占比角度，便能理解这现象。
VGS太小，沟道并未完全开启，沟道电阻占比更大，
沟道电阻的负温度系数占据主导作用，使得器件整体呈现负温度系数。
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这张图，是650V SiC MOSFET、Si MOSFET以及Si IGBT归一化电阻的温度特性，
以0℃到150℃为例，可以看到，Si MOSFET的电阻变化情况最明显，正温度系数最大，
为什么相比Si MOSFET，SiC MOSFET的正温度系数更小？
因为SiC MOSFET的总导通电阻中，沟道电阻占比相对较大，而沟道电阻的负温度系数，使得器件整体的正温度系数有所降低。
为什么相比Si MOSFET，Si IGBT的正温度系数更小？
因为IGBT的电导调制效应，大幅降低漂移区电阻，高温下此效应仍然有效，降低了器件整体的正温度系数。
即便是同一种器件，根据耐压级别的不同，温度系数也会有所差异。
以SiC MOSFET为例，
650V产品，漂移区电阻占比最小，正温度系数最小，
1200V产品，漂移区电阻占比上升，正温度系数变大（一般1.6~2.0），
1700V以上，正温度系数更大。
写到这里，不由得感慨，
对定义的细化，是认知提升的开始，
当年初入此行，看到器件导通电阻，不由自主地将其当成一个整体，没有看到其中的各部分，认知颗粒度太粗糙，
粗糙的结果，是不理解现象背后的机理，
为什么不同VGS下，器件温度系数不同？
为什么同一种器件，不同耐压级别的产品，器件温度系数不同？
只有将认知颗粒度细化到沟道电阻、漂移区电阻等组成部分，才能理解此间逻辑。
学得越深，你看到的细节，越纷繁、越庞大。
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这张图，是转移特性曲线，
两张图是同一组数据，左图是对数坐标，右图是线性坐标，
若以mA级别的电流，定义Vth大小，则SiC MOSFET的Vth与Si MOSFET相当，室温下大概3V，
但室温下，欲通过几A电流，所需的VGS大约在8V以上，因此SiC MOSFET的误导通耐量与Si IGBT相当。
从右图可看出，即便150℃下，只有VGS>6V时，SiC MOSFET才会通过5A以上的电流。
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这张图，是SiC MOSFET和Si IGBT的VGS(VGE)- ID(IC)特性对比，左图为对数坐标，右图为线性坐标，
ID(IC)=10mA时，SiC MOSFET的驱动电压更低，
但对于5A以上的电流，SiC MOSFET所需的驱动电压更高。
小结：
1、栅极驱动电压VGS越高，SiC MOSFET的导通电阻越低（20 V以上逐渐饱和），
2、各家SiC MOSFET产品，推荐驱动电压一般是18V，这一条件下，电流接近饱和，足以充分发挥SiC MOSFET的低导通电阻优势，
3、SiC MOSFET中，影响器件导通电阻温度系数的主要因素有二，结构设计or工作条件，
两者均通过影响沟道电阻和漂移区电阻的占比，影响器件电阻的温度系数。
在目前关心的应用范围内，沟道电阻呈现负温度系数，漂移区电阻呈现正温度系数。
4、SiC MOSFET，随着器件耐压的增大，外延层逐渐变厚，漂移区电阻占比逐渐增大，导通电阻的温度系数随之增大。
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