三菱电机宣布，他们将于1月21日开始提供4款全新沟槽型SiC MOSFET裸芯片。
该公司表示，这些芯片专为电动汽车（EV）主驱逆变器、车载充电器以及光伏逆变器等新能源系统而设计。同时，这些沟槽型SiC MOSFET将适用于各种功率器件封装，且能够在保持性能的同时降低功耗。
为进一步展示其技术成果，三菱电机计划于第40届日本Nepcon展上展出上述新型沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片，并陆续在北美、欧洲、中国、印度等市场进行推广。
沟槽型SiC-MOSFET晶圆（左）沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片（右）
此次新品的推出，本质上是三菱电机对全球先进功率半导体裸芯片市场需求的快速响应。据介绍，这4款全新沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片的核心亮点在于对沟槽栅型SiC MOSFET结构进行了深度优化。
- 与传统平面栅型SiC-MOSFET相比，功率损耗可降低约50%；
- 与此同时，三菱电机采用专属的栅极氧化膜制造方法等核心工艺，能有效抑制功率损耗和导通电阻的波动，为器件长期稳定运行提供可靠保障。
值得关注的是，三菱电机在2010年代后期建立了6英寸SiC生产线，而在2023年3月中旬，三菱电机宣布计划在5年内投资约1000亿日元（约48亿元人民币）用于建造一座新的8英寸SiC晶圆厂，并增加相关生产设施。
2024年4月，三菱电机的8英寸SiC工厂正式开工建设，2025年9月生产大楼，同年11月他们采用8英寸SiC衬底开始试生产。
在产能与销售目标方面，三菱电机在2024年曾提出要在2030财年将功率半导体业务中的SiC销售比例提高到30%以上。产能方面，他们提出与2022财年相比，2026财年将SiC产能提升5倍。
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