您好! 请登录 注册
Picture Show
搜索
Picture Show

       联系电话    

135 1009 9916

图片展示

中国科学院微电子所在高性能时钟芯片领域取得新进展

2025-12-15 09:21:28

随着 5.5G/6G 无线通信技术不断迭代和下一代 Serdes 接口朝更高传输速率发展,毫米波本振时钟的抖动性能面临前所未有的严苛要求。亚采样锁相环凭借其天然的高鉴相增益优势,已成为低抖动时钟芯片的主流技术路线。然而,传统方案仍存在诸多技术瓶颈:电荷共享效应严重损害环路相位裕度,需大幅提高主从采样电容比值,导致隔离缓冲器功耗激增;为抑制二进制频移键控效应对参考杂散的影响,传统架构必须引入额外的 dummy 采样路径,进一步增加功耗负担;毫米波频段下,电容与变容管的品质因数偏低,使振荡器相位噪声恶化,直接影响锁相环的整体抖动表现。

针对这些关键技术难题,中国科学院微电子研究所抗辐照器件技术重点实验室杨尊松、黄云波团队联合清华大学,开创性地提出了双边沿乒乓亚采样锁相环架构。该创新设计巧妙利用参考时钟的上升沿与下降沿,实现参考频率的等效倍频,成功解决了传统亚采样锁相环在环路带宽、带内相位噪声与参考杂散之间的设计矛盾。研究团队还开发了一种高效率的注入锁定缓冲器方案,该方案在高效提取振荡器二次谐波的同时实现谐波整形,显著降低了锁相环的带外相位噪声。

基于这些前沿技术,团队采用 65nm CMOS 工艺成功研制了一款 K 波段锁相环时钟芯片,输出频率覆盖 22.4–25.6 GHz,整体功耗仅为 18 mW,RMS 积分抖动优于 50 fs,抖动-功耗优值(FoM)达到 −254 dB 以下,处于国际领先水平。

该研究获得了国家自然科学基金的资助,相关成果以'A 22.4–25.6 GHz Ping-Pong Sub-Sampling PLL Featuring Unified Supply Voltage Level and Balanced 2nd Harmonic Extraction'为题,发表在集成电路设计领域顶级期刊《IEEE Journal of Solid-State Circuits》上。微电子所副研究员黄云波为论文第一作者。

图1 乒乓亚采样锁相环电路结构

图2 锁相环芯片照片及各模块功耗

图3 锁相环芯片相位噪声及参考杂散测试性能

如您对我们的产品感兴趣,欢迎联系

我们将为您提供高效、贴心的解决方案!

咨询电话:135  1009  9916(微信同号)

↓ ↓ 点击图片免费领取产品规格书   ↓  ↓ 

      


想深入了解碳化硅功率器件产品知识?点击→「碳化硅(SiC)课堂」获取详情!

作者: 深圳市亿伟世科技有限公司
0
中国科学院微电子所在高性能时钟芯片领域取得新进展
随着 5.5G/6G 无线通信技术不断迭代和下一代 Serdes 接口朝更高传输速率发展,毫米波本振时钟的抖动性能面临前所未有的严苛要求。亚采样锁相环凭借其天然
长按图片保存/分享

 技术学院


IGBT 课堂

SIC 课堂
工程师家园

 

产品中心

碳化硅器件

    IGBT

超洁 MOS

东芝隔离器

 

 

 

码上关注

     码上关注

码上联系

Picture Show
Picture Show

联系电话

135 1009 9916

 (微信同号)

添加微信好友,详细了解产品
使用企业微信
“扫一扫”加入群聊
复制成功
添加微信好友,详细了解产品
我知道了
粤ICP备2022009448号