IGBT的阻断特性与其纵向耐压结构和横向终端结构密切相关，目前仅在这里讨论体内耐压、阻断电压由器件纵向结构及掺杂浓度分布的影响。IGBT的正向阻断就是，当IGBT的集电极-发射极之间加正向电压时，即VCE>0，IGBT处于正向工作状态。当栅压-发射极间电压VGE<阈值电压Vth时，Pwell表面不会形成沟道，器件处于正向阻断状态。
IGBT正向阻断特性
IGBT工作在正向阻断模式下时，集电极上施加正向电压，J1结正偏，J2结反偏，器件的阻断电压由反偏的J2结来承担，因此IGBT具有正向阻断的能力。
在正向阻断工作状态下，必须保证栅极-发射极短接，防止栅极下方形成沟道。在IGBT施加正向电压情况下，J2反偏，其空间电荷区将向两侧扩展，因此阻断电压就会受到Pwell间距的限制
PT-IGBT和FS-IGBT的正向阻断特性
PT-IGBT和FS-IGBT在背部都会具有一个n型层，故而在外加正向电压VCE下，其耗尽区扩展就如下图所示，峰值电场强度位于J2结处。
当外加正向电压VCE较小时，二者的耗尽层扩展宽度小于n-漂移区厚度；
随着外加正向电压VCE不断增大，当二者的耗尽层扩展宽度等于各自的n-漂移区厚度时，此时耗尽层刚好扩展至整个轻掺杂的n-漂移区的边界，J2结处的峰值电场强度仍是低于击穿电压的临界电场强度，达到了穿通条件，此时二者的阻断电压可以表示为：
ND为n-漂移区的掺杂浓度，Wn-为n-漂移区厚度。
随着外加正向电压的进一步增加，耗尽区继续向J1结扩展。当耗尽层扩展宽度超过n-漂移层时，耗尽区的扩展将延伸至较高掺杂的n缓冲区，此时的电场强度呈现一种梯形分布，这时因为n-漂移区和n缓冲层的掺杂浓度不同，因此电场强度的下降斜率也不同，n-漂移区和n缓冲区界面处的电场可以表示为：
Em为J2结处的峰值电场强度，ND为n-漂移区的掺杂浓度，Wn-为n-漂移区厚度。
如果忽略空间电荷区在Pwell和n缓冲区内较小的展宽，则穿通击穿电压可以表示为：
当J2结处的峰值电场强度Em等于临界击穿电场强度时，由上式可知，PT-IGBT和FS-IGBT的阻断电压可以表示为：
式中Ec为n-漂移区的临界击穿电场强度，Wn-为n-漂移区厚度。
NPT-IGBT的正向阻断特性
NPT-IGBT的耗尽区扩散如下图所示，图中电场强度峰值在J2结处。
当外加正向电压VCE较小时，，NPT-IGBT的耗尽区的扩展宽度远小于其n-漂移区的厚度；
当外加正向电压VCE逐渐增大，耗尽区不断扩展，电场峰值增加，如下图所示。
直到峰值电场强度等于其雪崩击穿的临界电场强度时，IGBT就会发生雪崩击穿，此时IGBT的正向阻断能力由其雪崩击穿特性决定。
对于Si基材料，雪崩击穿电压BV和最大耗尽区宽度W表示：
ND为n-漂移区的掺杂浓度。
实际应用中，由于饱和电压和开关速度的限制，IGBT的n-漂移区厚度不会特别厚。对于NPT-IGBT而言，当正向电压较大时，n-漂移区厚度仍大于耗尽层宽度，电场强度如图中所示。
如果n-漂移区厚度较薄，当耗尽层从反偏的J2结扩展到正偏的J1结厚，J1结的空穴注入将会导致集电极电流IC大幅度增大，此时的NPT-IGBT会发生穿通击穿，其阻断电压可以表示为：
ND为n-漂移区的掺杂浓度，Wn-为n-漂移区厚度。
反向阻断特性
当IGBT的集电极-发射极之间加反向电压时，即VCE<0，IGBT处于反向工作状态，此时的反向电压主要由反偏J1结承担，其反向阻断电压主要由J1结两侧的掺杂浓度和厚度决定。
对于PT-IGBT和FS-IGBT的集电极反向偏置时，J1结反偏，J3结正偏，故反向电压也主要由n缓冲层和P+集电区形成的J1结承担，其耗尽区扩展如下图所示，图中的峰值电场强度位于J2结处。
因n缓冲层的掺杂浓度比n-漂移区高，这就导致了J1结的耗尽区扩展是比较有限的，故其反向阻断电压也很低。对这种结构的IGBT进行设计时，要确保这时的耗尽层扩展停留在n缓冲层内，避免反向击穿。
而对于NPT-IGBT而言，外加反向电压，J1结反偏，n-漂移区耗尽层扩展，如下图所示，J1结处的峰值电场强度最高。
因为NPT-IGBT的集电极区P+厚度很薄，能够提供的展宽余量很小，因此J1结所能承受的耐压很低，NPT-IGBT的反向阻断电压也很低。
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