电机驱动的“效率革命”
电机是全球最大的电能消耗者，约占全球总耗电量的45%以上。因此，电机驱动系统的效率提升哪怕只有几个百分点，其带来的能源节约和环境效益都是巨大的。传统的电机驱动主要采用硅基的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）作为核心开关器件。然而，随着对电机系统在效率、功率密度、体积和成本等方面提出更高要求，硅基器件的性能瓶颈日益凸显。
在此背景下，以碳化硅为代表的第三代宽禁带半导体应运而生，其卓越的物理特性正引领着一场电机驱动技术的“效率革命”。
为什么是SiC MOSFET？—— 对比传统硅基IGBT
要理解这一趋势，我们首先要看SiC MOSFET相比传统硅IGBT的压倒性优势：
简单来说，SiC MOSFET让电机驱动器可以实现：
更高效率： 特别是在高频和部分负载工况下，整体效率可比IGBT提升数个百分比。
更高功率密度： 因高频而缩小的磁性元件，加上更小的散热系统，使得整个驱动器的体积和重量大幅减小。
更优控制性能： 高开关频率允许使用更高的PWM频率，从而降低电机的转矩脉动和运行噪声，实现更平滑、更精确的控制。
耐压Vds：实际测试880V
封装形式：TO252-3 TO220F DFN5*6等
导通电阻Rds（on）：20mohm 90mohm 125mohm 180mohm 260mohm 380mohm 540mohm 1ohm等
平替硅基MOS（平面，Cool MOS，IGBT）
无需负压驱动，零电压轻松关断，包含全桥电路，半桥电路，LLC电路等。
电压升到18V发挥极致性能。
价格满足公司降本需求。
政策满足国产化需求。
平面工艺，EMI容易过。
导通电阻负温度系数。环境温度越高（结温范围内），温升越小。温升更低Vgsth=3.8v
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