2025年是电力电子行业的转折点。尽管电动汽车（EV）销量放缓，但IDTechEx预测，到2036年，电动汽车电力电子市场的规模将增长两倍，达到420亿美元。
IDTechEx指出，尽管全球电池电动汽车（BEV）的销量有所放缓，但其市场渗透率仍在不断增长。IDTechEx研究机构认为，SiC MOSFET的增长潜力依然显著。全球BEV增长放缓的态势被插电式混合动力电动汽车（PHEV）中牵引逆变器对SiC MOSFET的增部署所抵消。包括丰田和舍弗勒在内的主要原始设备制造商（OEM）和一级供应商已经宣布或发布了使用SiC MOSFET的PHEV驱动系统的详细信息。
IDTechEx称，尽管今年像Wolfspeed这样的设备供应商收入减少，且SiC逆变器需要重新设计，但SiC MOSFET如今已成为比一年前更为主流的电动汽车选择。
推动SiC MOSFETs整体成本下降的主要因素是SiC晶圆供应商之间的竞争加剧。许多公司正在扩大SiC晶圆的生产规模，多数为200mm晶圆。SiC晶圆的成本远高于硅产品，可达SiC MOSFET芯片总成本的一半。两年前，只有Wolfspeed和Coherent能够大规模生产200mm SiC晶圆。到2025年，Wolfspeed将其200mm SiC晶圆开放给更广泛的市场，英飞凌也扩大了200mm SiC晶圆的生产，并在今年早些时候基于其200mm SiC平台交付了首批产品。与此同时，中国公司也验证并扩大了SiC晶圆的生产，加强了小米、理想等国内OEM的供应链。
此外，多年来，GaN（氮化镓）的材料特性被预测将彻底改变功率转换领域。除了在数据中心电源单元中备受关注外，汽车行业也不应被忽视，作为GaN的高增长潜力市场。GaN已被用于LiDAR和低压DC-DC转换器，IDTechEx指出，我们即将见证GaN在长安启源E07车载充电器（OBC）中的首次部署。预计该车型将在2026年上市，其GaN器件由Navitas供应，标称功率密度为6kW/L，远高于IDTechEx研究中现有OBC的标准功率密度2kW/L。
此外，还有多家公司正在研发使用GaN的牵引逆变器的设计、控制和功率半导体，包括VisIC Technologies、NXP和Cambridge GaN Devices。尽管IDTechEx认为这些技术的商业化部署将晚于OBC和DC-DC转换器，但使用GaN所带来的性能提升和潜在成本节约将推动技术成熟和市场活跃度，在未来十年内发挥重要作用。
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