硅片在半导体产业链中的地位可以用“地基”来形容，硅片的品质直接影响到芯片良率和性能。因此，晶圆厂都对自身硅片材料的供应极为关注。这也是半导体领域硅片供应链相对集中的主要原因。近年来伴随自主化浪潮，中国硅片行业得以迅速发展。2025年上半年A股硅片上市公司总收入达到180.86亿元。然而，与前几家国际硅片大厂相比仍有不小差距。目前的国内硅片的国产化率只有约20%～25%。继续加大研发投入、推进技术创新，仍然是中国硅片产业破局的不二法门。集微网汇总A股6家半导体硅片上市公司2025年中报研发相关数据，进行多维度对比，从中可以一览当前国内企业的研发状况，为今后探索发展之路提供基础。
研发投入：费用TCL 中环居首，人员沪硅产业领先
硅片制造是一个高度精密的工艺过程。单晶硅生长主要采用直拉法（CZ法）和区熔法（FZ法），这两种方法都要求极高的工艺控制精度。硅片加工包括切片、研磨、抛光、清洗等多道工艺，每一道工序都直接影响最终的硅片质量。因此，技术研发在硅片产业中的意义极为重大。
2025年上半年，TCL中环以4.36亿元的研发费用位居行业首位，远超其他企业，研发费用同比增长率也最高，达到26%，体现了其雄厚的资金实力和对技术领先地位的坚决维护。
沪硅产业与立昂微为第二梯队。沪硅产业2025年上半年的研发费用为1.55亿，同比增长率25.88%；立昂微研发费用增长率虽然只有3.39%，但研发费用也达到了1.36亿元。
第三梯队，上海合晶研发费用0.55亿元，同比增长率19.09%；有研硅0.44亿元，同比增长率2.64%；神工股份0.11亿元，并出现8.91%的负增长。
从研发费用率（研发费用/营业收入）来看，沪硅产业（9.16%）和有研硅（9.01%）都超过了9%。上海合晶（8.85%）与立昂微（8.17%）也在8%以上，表明几家企业在研发投入上的决心。神工股份虽然出现负增长，但其研发费用对营收的占比也有5.38%。至于TCL中环，虽然比例最低3.25%，但营收规模远超同行，研发费用的总金额也是最高的。
研发人员配置方面，除TCL中环没有披露这方面的数据之外，其他企业的研发人员数量占比基本在10%～20%之间。沪硅产业的研发人员达到764人，占比22%，人数与占比均最高。
专利布局：头部双强超百件，发明专利差异明显
专利布局对企业发展与行业竞争至关重要。在硅片产业中，各家企业也高度重视专利数量与专利布局。截至2025年9月30日，硅片行业的专利积累呈现明显梯队分化。有研硅与上海合晶的专利数量均超过100件，其中，有研硅专利数量204件，发明专利101件；上海合晶专利数量101件，发明专利45件。
相比之下，其他几家企业的专利数量均不足100件。TCL中环和神工股份的专利数量均为68件，TCL中环发明专利16件，神工股份发明专利11件。立昂微为第三梯队，专利数量20件，但发明专利超过神工股份，达13件。沪硅产业则没有披露这方面的数据。
竞争格局：国际龙头优势显著，国内企业需凭特色突围
硅片技术发展呈现四大趋势：大尺寸化，12英寸已成主流；薄片化，厚度从775μm向更薄发展；高质量化，缺陷密度持续降低；特殊化，SOI、SiGe等特殊硅片需求增长。制造工艺持续改进：单晶生长技术热场设计优化，切片技术采用钢线切割减少损耗，抛光技术引入CMP工艺，清洗技术对纯度要求不断提升。
信越化学作为全球硅片龙头，市场份额约28%，技术优势在于单晶生长领先，产品质量稳定，客户涵盖台积电、三星、英特尔等龙头厂商。SUMCO居于次席，市场份额约25%。技术特色是12英寸硅片技术领先，SOI硅片专业能力强，专注高端市场。环球晶圆居于第三名，其通过并购快速扩张，制造成本控制能力较强。面对国际竞争，技术研发成为国内硅片企业在这一领域发展的立身之本。
沪硅产业SOI硅片技术国际领先，基于300mm硅片技术的SOI材料开发已取得阶段性突破，开始向射频、功率器件、硅光等客户批量送样。未来随着技术的不断创新和产品的升级换代，公司将在高端市场获得更多的竞争优势。
中环股份的特点为光伏+半导体双轮驱动，单晶硅技术积累深厚。8英寸硅片技术成熟，向12英寸硅片扩展，规模优势明显，成本控制能力行业领先。
立昂微在功率器件硅片方面深耕，6英寸、8英寸技术成熟，在细分市场具备竞争优势，受益新能源汽车功率器件需求的爆发。
上海合晶是国内少数具备从晶体成长、衬底成型到外延生长全流程生产能力的企业，产品聚焦于功率器件（MOSFET、晶体管）和模拟芯片（PMIC、CIS）领域。
有研硅在国内有着悠久的硅材料产业历史，是国内最早从事半导体硅材料研制的单位之一，目前产品结构力求多元化，聚焦高附加值领域，如硅抛光片、刻蚀设备用硅材料等。
神工股份掌握无磁场大直径单晶硅制造技术，通过热场尺寸优化工艺将晶体直径与热场直径比提升至 0.6-0.7（行业常规 0.5），有效降低生产成本。同时，其固液共存界面控制技术可精准调控晶体生长不同阶段的界面形状，大幅提升成品率和参数一致性。
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